特許
J-GLOBAL ID：200903097137653680

VCSELおよびVCSELアレイ

発明者：
アルバート・ティ・ユーエン

アルバート・ティ・ユーエン について

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マイケル・アール・ティ・タン

マイケル・アール・ティ・タン について

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チュン・レイ

チュン・レイ について


出願人/特許権者：
ヒューレット・パッカード・カンパニー

ヒューレット・パッカード・カンパニー について


代理人 (1件)： 上野 英夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-017033
公開番号（公開出願番号）：特開平11-261174
出願日： 1999年01月26日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：
【要約】【課題】p駆動あるいはn駆動で個別VCSELを駆動することが可能なVCSELアレイを提供する。【解決手段】垂直空洞面発光レーザ(VCSEL)[160、161]は、第1の導電型の半導体を含む下部リフレクタ[124]と、発光領域[128]と、第2の導電型の半導体を含む上部リフレクタ[125]と、前記下部リフレクタに電気的に接続された下部電極[135]と、前記上部リフレクタに電気的に接続された上部電極[134]と、前記下部リフレクタをエピタキシャル成長させ得るバッファ層[122]とを備える。前記下部リフレクタは前記バッファ層に接触する。前記バッファ層の導電率は前記第1の導電型の半導体の導電率の10パーセント未満である。溝[150,151,152、155]により各VCSELがさらに分離される。
請求項（抜粋）：
所定の波長の光を発生するためのVCSELであって、第1の導電型の半導体によるエピタキシャル層を含む下部リフレクタと、発光領域と、第2の導電型の半導体を含む上部リフレクタと、前記下部リフレクタに電気的に接続された下部電極と、前記上部リフレクタに電気的に接続された上部電極と、所定の値より導電率が低く、前記下部リフレクタをバッファ層にエピタキシャル成長させる結晶構造を有している前記バッファ層とを備え、前記下部リフレクタが前記バッファ層に接触し、前記所定の値が前記第1の導電型の半導体の導電率の10パーセント未満であることを特徴とする、VCSEL。
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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