半導体装置及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：後藤洋介 , 池田憲保
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-310087
公開番号（公開出願番号）：特開2005-079445
出願日： 2003年09月02日
公開日（公表日）： 2005年03月24日
要約：

【課題】シリコン基板上に、緻密で特性の安定した1nm以下の厚さの極薄シリコン窒化膜は得られない状況にある。【解決手段】シリコン基板表面に、バッファ層として、非晶質のシリコン窒化膜を形成し、当該バッファ層をマイクロ波励起高密度ラジカルイオン照射等により、アニールを施し、結晶質のシリコン窒化膜にすることにより、特性の安定なシリコン窒化膜が得られる。このシリコン窒化膜は1nm以下にすることができるため、MIS構造トランジスタの高誘電率ゲート絶縁膜を形成するのに適している。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

シリコン窒化膜を備えた半導体装置において、前記シリコン窒化膜は非晶質のシリコン窒化膜を少なくとも用いて形成された部分を含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/283 , H01L21/318 , H01L29/423 , H01L29/49

FI (6件)：

H01L29/78 301G , H01L21/28 301R , H01L21/283 B , H01L21/283 C , H01L21/318 M , H01L29/58 G

Fターム (94件)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB04 , 4M104BB32 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD04 , 4M104DD08 , 4M104DD15 , 4M104DD16 , 4M104DD17 , 4M104DD26 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD50 , 4M104DD52 , 4M104DD53 , 4M104DD65 , 4M104DD66 , 4M104DD75 , 4M104DD78 , 4M104DD80 , 4M104DD81 , 4M104EE03 , 4M104EE08 , 4M104EE09 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104FF13 , 4M104FF22 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH12 , 4M104HH14 , 4M104HH18 , 5F058BA01 , 5F058BA20 , 5F058BC08 , 5F058BD09 , 5F058BF12 , 5F058BF17 , 5F058BF74 , 5F058BH02 , 5F058BH16 , 5F058BJ01 , 5F140AA06 , 5F140AA08 , 5F140AA18 , 5F140AA24 , 5F140BA01 , 5F140BA20 , 5F140BD02 , 5F140BD04 , 5F140BD07 , 5F140BD15 , 5F140BE02 , 5F140BE08 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BE16 , 5F140BF01 , 5F140BF10 , 5F140BF17 , 5F140BF21 , 5F140BF30 , 5F140BG08 , 5F140BG14 , 5F140BG28 , 5F140BG37 , 5F140BG50 , 5F140BG52 , 5F140BG53 , 5F140BG54 , 5F140BH06 , 5F140BH15 , 5F140BH21 , 5F140BH36 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BK02 , 5F140BK13 , 5F140BK18 , 5F140BK21 , 5F140BK22 , 5F140BK34 , 5F140CA02 , 5F140CA03 , 5F140CC01 , 5F140CC02 , 5F140CC03 , 5F140CC08 , 5F140CC12 , 5F140CE07

引用特許：

審査官引用 (8件)

Si(111)上にゲ-ト誘電体用の極薄結晶質シリコン窒化物を生成する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-074728 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
特開昭48-030789
M-SiONゲート誘電体のCVDデポジション
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-361573 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテッド

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