特許
J-GLOBAL ID:200903097365505380

半導体位置検出器

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-097566
公開番号(公開出願番号):特開平10-290013
出願日: 1997年04月15日
公開日(公表日): 1998年10月27日
要約:
【要約】【課題】 位置検出精度の高い半導体位置検出器を提供する。【解決手段】 半導体位置検出器において、基幹導電層PNの幅を遠距離側から近距離側に向かって広くするとともに、基幹導電層PNから分枝導電層4PNを伸延させ、分枝導電層4PNの形成された領域を受光面とするように、受光光学系を配置する。
請求項(抜粋):
複数の抵抗領域が所定方向に連続してなる基幹導電層と、受光面上の入射光位置に応じて前記基幹導電層両端からの出力電流が異なるように前記基幹導電層から前記受光面に沿って延びた複数の分枝導電層とを備え、前記抵抗領域は、実質的に同一の抵抗率を有し、且つ、前記所定方向に垂直な幅が前記基幹導電層の一端から他端に向かうにしたがって広くなっていることを特徴とする半導体位置検出器。
IPC (3件):
H01L 31/00 ,  G01B 11/00 ,  G01C 3/06
FI (3件):
H01L 31/00 ,  G01B 11/00 E ,  G01C 3/06 A
引用特許:
審査官引用 (23件)
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