特許
J-GLOBAL ID：200903097716938750
光半導体装置とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-041669
公開番号（公開出願番号）：特開2006-229010
出願日： 2005年02月18日
公開日（公表日）： 2006年08月31日
要約：
【課題】 量子ドットを埋め込むバリア層の膜質を高めることが可能な光半導体装置とその製造方法を提供すること。【解決手段】 InP基板(半導体基板)10と、InP基板10上に形成されたInxAlyGa1-x-yAs(0≦x, y≦1)よりなる下地層13と、下地層13上に形成され、少なくともAs(砒素)とIII族元素とを含む混晶よりなる量子ドット14と、量子ドット14の上に形成され、該量子ドット14の頂上を覆う厚さを有し、InpGa1-pAsqP1-q(0≦p, q≦1)よりなる第1バリア層15と、第1バリア層15上に形成され、InrAlsGa1-r-sAs(0≦r, s≦1)よりなる第2バリア層16と、を有することを特徴とする光半導体装置による。【選択図】 図6
請求項（抜粋）：
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された下地層と、
前記下地層上に形成され、少なくともAs(砒素)とIII族元素とを含む混晶よりなる量子ドットと、
前記量子ドットの上に形成されたInpGa1-pAsqP1-q(0≦p, q≦1)よりなる第1バリア層と、
前記第1バリア層上に形成されたInrAlsGa1-r-sAs(0≦r, s≦1)よりなる第2バリア層と、
を有することを特徴とする光半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (8件)：
5F173AA26
, 5F173AF07
, 5F173AF08
, 5F173AF15
, 5F173AH14
, 5F173AP06
, 5F173AQ12
, 5F173AR83
