ウェーハレベルパッケージ及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：瀬谷徹 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-197209
公開番号（公開出願番号）：特開2001-035969
出願日： 2000年06月29日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
要約：

【要約】【課題】ボールランドと半田ボールとの間の接触面積を広げることで、ボールランドと半田ボールとの間の接合強度を大幅に強化させたウェーハレベルパッケージ及びその製造方法を提供する。【解決手段】多数のボンディングパッドが表面に形成された半導体チップと、半導体チップの表面に塗布され、ボンディングパッドを露出させるビアホールと、ビアホールから所定距離をおいて配置された凹凸溝を持つ下部絶縁層と、下部絶縁層の表面に蒸着され、ボンディングパッドと凹凸溝とを電気的に連結する金属パターンと、下部絶縁層上に塗布され、凹凸溝に蒸着された金属パターンを露出させるボールランドが形成された上部絶縁層と、ボールランドにマウントされ、凹凸溝に蒸着された金属パターンと電気的に連結する半田ボールとを含む。

請求項（抜粋）：

多数のボンディングパッドが表面に形成された半導体チップと、前記半導体チップの表面に塗布され、前記ボンディングパッドを露出させるビアホールと、前記ビアホールから所定距離をおいて配置された凹凸溝を持つ下部絶縁層と、前記下部絶縁層の表面に蒸着され、前記ボンディングパッドと凹凸溝とを電気的に連結する金属パターンと、前記下部絶縁層上に塗布され、前記凹凸溝に蒸着された金属パターンを露出させるボールランドが形成された上部絶縁層と、前記ボールランドにマウントされ、前記凹凸溝に蒸着された金属パターンと電気的に連結する半田ボールとを含むことを特徴とする、ウェーハレベルパッケージ。

IPC (2件)：

H01L 23/12 501 , H01L 21/60

FI (5件)：

H01L 23/12 501 P , H01L 21/92 602 L , H01L 21/92 603 D , H01L 21/92 604 H , H01L 21/92 604 Q

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-284067 出願人：松下電子工業株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-294579 出願人：セイコー電子工業株式会社
半導体集積回路装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-007669 出願人：東芝マイクロエレクトロニクス株式会社, 株式会社東芝

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