特許
J-GLOBAL ID:200903098100674667

ガスセンサ素子の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 高橋 祥泰 ,  岩倉 民芳
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-237330
公開番号(公開出願番号):特開2007-218893
出願日: 2006年09月01日
公開日(公表日): 2007年08月30日
要約:
【課題】被水割れを防ぐと共に早期活性を確保するガスセンサ素子の製造方法を提供すること。【解決手段】固体電解質体2と被測定ガス側電極21と基準ガス側電極22とヒータ部3とを有し、ヒータ部3は発熱体31をヒータ基板32に形成してなると共にヒータ基板32が固体電解質体2に積層され、ガス導入口11を覆うように形成された多孔質保護層4を表面に有しており、保護層非形成部5を、発熱体31の軸方向長さに対応する領域におけるヒータ基板32の側方角部である発熱体側方角部33に配置しているガスセンサ素子1を製造する方法。ガスセンサ素子1におけるガス導入口11が形成されている長さ領域のうち被測定ガスに暴露される領域の全表面に、多孔質保護層4を形成し、次いで、発熱体側方角部33に形成された多孔質保護層4の少なくとも一部を研磨除去することにより、保護層非形成部5を設ける。【選択図】図1
請求項(抜粋):
酸素イオン伝導性の固体電解質体と、該固体電解質体の一方の面に設けた被測定ガス側電極と、上記固体電解質体の他方の面に形成した基準ガス側電極と、上記固体電解質体に積層したヒータ部とを有し、該ヒータ部は、通電によって発熱する発熱体をヒータ基板に形成してなると共に、該ヒータ基板が上記固体電解質体に積層されており、上記被測定ガス側電極に被測定ガスを導入するガス導入口のうち被測定ガスに暴露される領域を少なくとも覆うように形成された多孔質保護層を表面に有しており、また、該多孔質保護層を形成しない保護層非形成部を、上記発熱体の軸方向長さに対応する領域における上記ヒータ基板の側方角部である発熱体側方角部の少なくとも一部に配置しているガスセンサ素子を製造する方法であって、 上記ガスセンサ素子における少なくとも上記ガス導入口が形成されている長さ領域のうち被測定ガスに暴露される領域の全表面に、上記多孔質保護層を形成し、 次いで、上記発熱体側方角部に形成された上記多孔質保護層の少なくとも一部を研磨除去することにより、上記保護層非形成部を設けることを特徴とするガスセンサ素子の製造方法。
IPC (1件):
G01N 27/409
FI (1件):
G01N27/58 B
Fターム (15件):
2G004BB04 ,  2G004BD04 ,  2G004BE04 ,  2G004BE13 ,  2G004BE14 ,  2G004BF05 ,  2G004BF07 ,  2G004BF08 ,  2G004BG09 ,  2G004BG15 ,  2G004BJ03 ,  2G004BL08 ,  2G004BL19 ,  2G004BM04 ,  2G004BM07
引用特許:
出願人引用 (1件) 審査官引用 (6件)
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