特許
J-GLOBAL ID：200903098210421802
ポジ型レジスト材料
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
小島 隆司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-331720
公開番号（公開出願番号）：特開平8-160620
出願日： 1994年12月09日
公開日（公表日）： 1996年06月21日
要約：
【要約】 (修正有)【構成】 下記一般式(1)(式中、Qはt-ブトキシカルボニル基等、nは1〜3の整数、x,mはx+m=1であるが、xは0になることはない。)で示されるシリコーンポリマーと、照射される放射線の作用により分解して酸を発生する酸発生剤との2成分を含むアルカリ水溶液で現像可能なポジ型レジスト材料であって、上記酸発生剤が一般式(2)(R)pJM(式中、Rは芳香族基又は置換芳香族基であるが、Rの少なくとも一つは、R13CO-(R1は炭素数1〜10の置換又は非置換一価炭化水素基)で示されるt-アルコキシ基等、で置換されたフェニル基であり、Jはスルホニウム又はヨードニウム、Mはp-トルエンスルフォネート基又はトリフルオロメタンスルフォネート基を示す。pは2又は3である。)で示されるオニウム塩である。【効果】 高エネルギー線に感応し、感度、解像性に優れているポジ型レジスト材料を提供する。
請求項（抜粋）：
下記一般式(1)【化1】(式中、Qはt-ブトキシカルボニル基、t-ブトキシカルボニルメチル基、トリメチルシリル基又はテトラヒドロピラニル基を示す。nは1〜3の整数、x,mはx+m=1であるが、xは0になることはない。)で示されるシリコーンポリマーと、照射される放射線の作用により分解して酸を発生する酸発生剤との2成分を含むアルカリ水溶液で現像可能なポジ型レジスト材料であって、上記酸発生剤が下記一般式(2) (R)pJM ...(2)(式中、Rは芳香族基又は置換芳香族基であるが、Rの少なくとも一つは、R13CO-(R1は炭素数1〜10の置換又は非置換一価炭化水素基を示す)で示されるt-アルコキシ基、t-ブトキシカルボニルオキシ基又はt-ブトキシカルボニルメトキシ基で置換されたフェニル基であり、Jはスルホニウム又はヨードニウムを示し、Mはp-トルエンスルフォネート基又はトリフルオロメタンスルフォネート基を示す。pは2又は3である。)で示されるオニウム塩であることを特徴とするポジ型レジスト材料。
IPC (7件)：
G03F 7/039 501
, G03F 7/004 501
, G03F 7/004 503
, G03F 7/029
, G03F 7/075 511
, G03F 7/075 521
, H01L 21/027
