特許
J-GLOBAL ID:200903098314206580
ウエーハの加工方法
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
小野 尚純
, 奥貫 佐知子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-319824
公開番号(公開出願番号):特開2005-086160
出願日: 2003年09月11日
公開日(公表日): 2005年03月31日
要約:
【課題】 生産性が高く、光デバイスの輝度を低下させることなく分割することができるウエーハの加工方法を提供する。【解決手段】 表面に格子状に形成された分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域に光デバイスが形成されたウエーハを分割予定ラインに沿って分割するウエーハの加工方法であって、ウエーハの裏面側から分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射して裏面に所定深さのレーザー加工溝を形成するレーザー光線照射行程と、表面に保護シートが貼着されたウエーハをレーザー加工溝に沿って分割する分割行程と、レーザー加工溝に沿って分割されたウエーハの裏面を保護シートが貼着された状態で研削しレーザー加工溝を除去する研削行程とを含む。【選択図】 図5
請求項(抜粋):
表面に格子状に形成された分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域に光デバイスが形成されたウエーハを分割予定ラインに沿って分割するウエーハの加工方法であって、
該ウエーハの裏面側から該分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射して裏面に所定深さのレーザー加工溝を形成するレーザー光線照射行程と、
裏面に該レーザー加工溝が形成された該ウエーハの表面に保護シートを貼着する保護シート貼着行程と、
表面に該保護シートが貼着された該ウエーハを該レーザー加工溝に沿って分割する分割行程と、
該レーザー加工溝に沿って分割された該ウエーハの裏面を該保護シートが貼着された状態で研削し該レーザー加工溝を除去する研削行程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの加工方法。
IPC (3件):
H01L21/301
, B23K26/00
, H01L21/304
FI (5件):
H01L21/78 B
, B23K26/00 D
, H01L21/304 631
, H01L21/78 V
, H01L21/78 Q
Fターム (2件):
引用特許:
出願人引用 (2件)
-
シリコンウエハ切断装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-269927
出願人:三菱電機株式会社
-
レーザ加工方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-277163
出願人:浜松ホトニクス株式会社
審査官引用 (10件)
-
半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-307169
出願人:株式会社東芝
-
特開昭56-006451
-
特開昭53-114347
-
レーザ加工方法及びレーザ加工装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-278790
出願人:浜松ホトニクス株式会社
-
半導体ウェハのダイシング方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-370500
出願人:古河電気工業株式会社
-
特開昭56-006451
-
特開昭53-114347
-
半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-255768
出願人:三菱電機株式会社
-
特開昭61-030049
-
特開昭53-123657
全件表示
前のページに戻る