特許
J-GLOBAL ID：200903098343501930
ヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-183540
公開番号（公開出願番号）：特開2003-007712
出願日： 2001年06月18日
公開日（公表日）： 2003年01月10日
要約：
【要約】【課題】 再現性に優れた量産性の高い高性能な高周波用ヘテロ接合トランジスタとその製造方法を提供する。【解決手段】 エミッタメサ12をもつ化合物半導体ヘテロ接合バイポーラトランジスタのエミッタを、ベース層4上に第1エミッタ層5、エミッタエッチング停止層6、第2エミッタ層7を順次堆積して形成する。エミッタメサ12の側壁にサイドウォール絶縁膜13を形成し、このサイドウォール絶縁膜13によってエミッタメサ12とベース電極14を電気的に分離する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上にコレクタ層、ベース層、III-V族化合物半導体からなる第1エミッタ層、III-V族化合物半導体からなるエッチング停止層および第2エミッタ層が順次形成され、上記ベース層上に上記第1エミッタ層、エッチング停止層および第2エミッタ層の一部からなるエミッタメサ部が形成され、このエミッタメサ部の全側面に絶縁膜が形成されていることを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 21/331
, H01L 29/737
5F003AP00
, 5F003AP10
, 5F003BA01
, 5F003BA11
, 5F003BA92
, 5F003BE00
, 5F003BE02
, 5F003BE04
, 5F003BE08
, 5F003BF06
, 5F003BM03
, 5F003BP11
, 5F003BP12
, 5F003BP31
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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