特許
J-GLOBAL ID：200903043598257422
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-275854
公開番号（公開出願番号）：特開平11-121462
出願日： 1997年10月08日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置及びその製造方法に関し、InP/InGaAs系HBTの表面保護膜を再現性良く形成する。【解決手段】 表面保護膜となるInP層4及びInGaAsP層5からなる積層膜の内のInGaAsP層5を、エッチングストッパ層として用いる。
請求項（抜粋）：
InP層及びInGaAsP層からなる積層膜を表面保護膜として用いたことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/205
出願人引用 (15件)
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審査官引用 (15件)
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