表面分析装置、及び表面分析方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石島茂男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-002528
公開番号（公開出願番号）：特開2000-206062
出願日： 1999年01月08日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：

【要約】【課題】二次電子放出量を正確に測定できる表面分析装置を提供する。【解決手段】赤外線ランプ30によって裏面から加熱した試料21に、グラウンド電極に電流が流れないように径を絞ったイオンビーム5を照射する。グラウンド電極15とコレクタ電極18の間に配置した制御電極に負電圧を印加し、試料21から放出した二次電子だけをコレクタ電極18で捕集するようにする。試料21がチャージアップした場合、サプレッサ電極12の電圧を調節し、試料21に電子を照射し、正電荷を中和する。二次電子放出比を正確に求めることが可能になる。

請求項（抜粋）：

イオンビームをグラウンド電極とコレクタ電極とを通過させ、試料表面に前記イオンビームを照射し、前記試料表面から放出される二次電子を前記コレクタ電極で捕集する表面分析方法であって、前記グラウンド電極に電流計を接続し、前記イオンビームを照射したときに、前記電流計に電流が流れないように、前記イオンビームの径を調節することを特徴とする表面分析方法。

IPC (2件)：

G01N 23/225 , H01J 37/317

FI (2件)：

G01N 23/225 , H01J 37/317 Z

Fターム (19件)：

2G001AA03 , 2G001AA07 , 2G001BA07 , 2G001CA03 , 2G001GA01 , 2G001GA09 , 2G001GA11 , 2G001GA12 , 2G001JA02 , 2G001JA06 , 2G001JA14 , 2G001KA12 , 2G001LA02 , 2G001MA05 , 2G001NA06 , 2G001NA17 , 2G001PA07 , 5C034CC13 , 5C034CC19

引用特許：

審査官引用 (6件)

イオン照射装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-085950 出願人：日本真空技術株式会社
イオン加速装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-141191 出願人：日本真空技術株式会社
イオン加速装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-263034 出願人：日本真空技術株式会社

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引用文献：

審査官引用 (1件)

“MgO保護膜評価装置の開発”

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