特許
J-GLOBAL ID：200903053189883708

ウエハ・パッシベーション構造および製造方法

発明者：
ボーア,マーク・ティ

ボーア,マーク・ティ について


出願人/特許権者：
インテル・コーポレーション

インテル・コーポレーション について


代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-526962
公開番号（公開出願番号）：特表2002-500440
出願日： 1998年11月16日
公開日（公表日）： 2002年01月08日
要約：
【要約】ウエハ・パッシベーション構造およびその製造方法を記述する。本発明の一実施形態によれば、ギャップ(208)によって金属部材(206)から離隔されたボンド・パッド(204)を有する金属層が、基板(200)上に形成される。次いで、ボンド・パッドおよび金属部材の上に、二酸化シリコンなどの第1の誘電体層(210)が形成され、ギャップを完全に充填する。次に、第1の誘電体層よりも大きな誘電率を有し、気密性がある、窒化シリコンなどの第2の誘電体層(212)が、第1の誘電体層の上に形成される。ポリイミドなどのキャップ誘電体層(214)を第2の誘電体層上に形成することができる。導電障壁層(216)およびバンプ(218)を含むC-4(controlled chip conllapse contact)などの電気コンタクト(215)が全ての誘電体層を介して形成されて、ボンド・パッド(204)と電気的な接触をする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上にパッシベーション層を形成する方法であって、 基板上の金属相互接続層の上に第1の誘電体層を形成するステップであって、前記金属相互接続層が、ボンド・パッドと、前記ボンド・パッドからギャップによって離隔された金属部材とを含み、前記第1の誘電体が、前記ボンド・パッドおよび前記金属部材の上に、かつ前記ギャップ内に形成されるステップと、 前記第1の誘電体層の上に第2の誘電体層を形成するステップとを含み、 前記第2の誘電体層は、気密性があり、前記第1の誘電体よりも大きな誘電率を有する方法。
IPC (3件)：
H01L 21/316 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 21/3205
FI (3件)：
H01L 21/316 M ,  H01L 21/60 301 P ,  H01L 21/88 T
Fターム (39件)：
5F033HH07 ,  5F033HH18 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ27 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ60 ,  5F033QQ66 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR11 ,  5F033RR22 ,  5F033RR27 ,  5F033SS01 ,  5F033SS02 ,  5F033SS15 ,  5F033VV07 ,  5F033WW09 ,  5F033XX18 ,  5F033XX24 ,  5F044EE21 ,  5F058AD04 ,  5F058AD10 ,  5F058AD11 ,  5F058AF04 ,  5F058BD04 ,  5F058BD06 ,  5F058BD10 ,  5F058BD19 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BJ03 ,  5F058BJ05
引用特許：
審査官引用 (28件)
  • 特開平4-039934
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-172678   出願人：三洋電機株式会社
  • 特開平4-039934
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