特許
J-GLOBAL ID：200903098843311330

半導体用基板の洗浄方法およびスピン式洗浄装置

発明者：
飛田 敦

飛田 敦 について

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財津 国央

財津 国央 について

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庄司 祐介

庄司 祐介 について

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石井 裕之

石井 裕之 について


出願人/特許権者：
大日本印刷株式会社

大日本印刷株式会社 について


代理人 (1件)： 金山 聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-056704
公開番号（公開出願番号）：特開2005-251806
出願日： 2004年03月01日
公開日（公表日）： 2005年09月15日
要約：
【課題】シリコンウェーハやフォトマスク等の半導体製造に使用される基板を洗浄するに際し、少量の薬液で高い洗浄能力を持ち、異物等の基板への再付着が極めて少ない洗浄方法、およびスピン式洗浄装置を提供する。【解決手段】半導体製造に使用される基板を洗浄、乾燥するスピン式の洗浄装置を用いた半導体用基板の洗浄方法において、低速回転する前記基板の表面上に常温の洗浄液を少量滴下し、前記基板表面に均一に広げる第一の工程と、前記洗浄液を前記基板表面に盛った状態にて低速回転する一方、前記基板裏面に高温の超純水を供給し、前記基板及び前記洗浄液を高温に加熱しながら一定時間保持して前記基板表面を洗浄処理する第二の工程と、一定時間の洗浄処理後、前記基板の上方から超純水を供給し、前記洗浄液を洗い流して除去する第三の工程とを有することを特徴とする。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
半導体製造に使用される基板を洗浄、乾燥するスピン式の洗浄装置を用いた半導体用基板の洗浄方法において、低速回転する前記基板の表面上に常温の洗浄液を少量滴下し、前記基板表面に均一に広げる第一の工程と、前記洗浄液を前記基板表面に盛った状態にて低速回転する一方、前記基板裏面に高温の超純水を供給し、前記基板及び前記洗浄液を高温に加熱しながら一定時間保持して前記基板表面を洗浄処理する第二の工程と、一定時間の洗浄処理後、前記基板の上方から超純水を供給し、前記洗浄液を洗い流して除去する第三の工程とを有することを特徴とする半導体用基板の洗浄方法。
IPC (1件)：
H01L21/304
FI (3件)：
H01L21/304 651B ,  H01L21/304 643A ,  H01L21/304 651M
Fターム (7件)：
2H088FA21 ,  2H088FA30 ,  2H088HA01 ,  2H088MA16 ,  2H090HC18 ,  2H090JB04 ,  2H090JC19
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (12件)
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