特許
J-GLOBAL ID:200903098860581359
基板処理装置及び基板処理方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
内野 美洋
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-142589
公開番号(公開出願番号):特開2008-300452
出願日: 2007年05月29日
公開日(公表日): 2008年12月11日
要約:
【課題】基板の周縁部の所定範囲を精度良く良好に処理できるようにすること。【解決手段】本発明では、基板(ウエハW)の周縁部に対してエッチング又は洗浄などの処理を行う基板処理装置(1)において、基板(W)の周縁部を処理するための周縁処理装置(4)と、周縁処理装置(4)に対して相対的に回転する基板(W)を保持するための基板保持装置(3)とを有し、周縁処理装置(4)は、基板(W)の周縁部に処理液を供給する処理液供給部(9)と、基板(W)に向けてガスを噴出するガス噴出部(10)とを有し、ガス噴出部(10)を処理液供給部(9)よりも基板(W)の周縁部に対して内側に隣設した。そして、基板(W)を周縁処理装置(4)に対して相対的に回転させ、処理液供給部(9)から基板(W)の周縁部に処理液を供給するとともに、処理液供給部(9)よりも基板(W)の内側に隣設したガス噴出部(10)から基板(W)に向けてガスを噴出して、基板(W)の周縁部の処理を行うようにした。【選択図】図3
請求項(抜粋):
基板の周縁部に対してエッチング又は洗浄などの処理を行う基板処理装置において、
基板の周縁部を処理するための周縁処理装置と、周縁処理装置に対して相対的に回転する基板を保持するための基板保持装置とを有し、
周縁処理装置は、基板の周縁部に処理液を供給する処理液供給部と、基板に向けてガスを噴出するガス噴出部とを有し、ガス噴出部を処理液供給部よりも基板の周縁部に対して内側に隣設したことを特徴とする基板処理装置。
IPC (2件):
H01L 21/306
, H01L 21/304
FI (4件):
H01L21/306 J
, H01L21/304 643A
, H01L21/304 642D
, H01L21/304 651L
Fターム (18件):
5F043EE08
, 5F043EE27
, 5F043EE35
, 5F043GG10
, 5F157AA14
, 5F157AB02
, 5F157AB16
, 5F157AB33
, 5F157AC04
, 5F157BB01
, 5F157BB32
, 5F157BB37
, 5F157BB42
, 5F157CB01
, 5F157CB15
, 5F157CF14
, 5F157CF72
, 5F157DB00
引用特許:
出願人引用 (1件)
審査官引用 (7件)
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半導体製造装置及び半導体製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2003-126657
出願人:韓国ディエンエス株式会社
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処理液による基板の処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2003-329899
出願人:芝浦メカトロニクス株式会社
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基板処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-030511
出願人:大日本スクリーン製造株式会社
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