特許
J-GLOBAL ID：200903010088942664

基板処理装置及び基板処理方法

発明者：
天野 嘉文

天野 嘉文 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 内野 美洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-142595
公開番号（公開出願番号）：特開2008-300454
出願日： 2007年05月29日
公開日（公表日）： 2008年12月11日
要約：
【課題】基板の周縁部の所定範囲を精度良く良好に処理できるようにすること。【解決手段】本発明では、基板(ウエハW)の周縁部に対してエッチング又は洗浄などの処理を行う基板処理装置(1)において、基板(W)の周縁部を処理するための周縁処理装置(4)と、周縁処理装置(4)に対して相対的に回転する基板(W)を保持するための基板保持装置(2)とを有し、周縁処理装置(4)は、基板(W)の周縁部に処理液を供給する処理液供給部(9)と、基板(W)の周縁部にリンス液を供給するリンス液供給部(10)と、基板(W)の周縁部に乾燥ガスを供給する乾燥ガス供給部(12)と、基板(W)に向けてガスを噴出するガス噴出部(11)とを有し、回転方向に沿って上流側から順に処理液供給部(9)、リンス液供給部(10)、乾燥ガス供給部(11)を配置するとともに、これら処理液供給部(9)・リンス液供給部(10)・乾燥ガス供給部(11)よりも基板(W)の周縁部に対して内側にガス噴出部(12)を隣設した。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
基板の周縁部に対してエッチング又は洗浄などの処理を行う基板処理装置において、 基板の周縁部を処理するための周縁処理装置と、周縁処理装置に対して相対的に回転する基板を保持するための基板保持装置とを有し、 周縁処理装置は、基板の周縁部に処理液を供給する処理液供給部と、基板の周縁部にリンス液を供給するリンス液供給部と、基板の周縁部に乾燥ガスを供給する乾燥ガス供給部と、基板に向けてガスを噴出するガス噴出部とを有し、回転方向に沿って上流側から順に処理液供給部、リンス液供給部、乾燥ガス供給部を配置するとともに、これら処理液供給部・リンス液供給部・乾燥ガス供給部よりも基板の周縁部に対して内側にガス噴出部を隣設したことを特徴とする基板処理装置。
IPC (4件)：
H01L 21/306 ,  H01L 21/304 ,  G02F 1/13 ,  G02F 1/133
FI (6件)：
H01L21/306 J ,  H01L21/304 651B ,  H01L21/304 643A ,  H01L21/304 643C ,  G02F1/13 101 ,  G02F1/1333 500
Fターム (28件)：
2H088FA19 ,  2H088FA21 ,  2H088FA30 ,  2H088HA01 ,  2H088MA20 ,  2H090JB02 ,  2H090JC19 ,  5F043EE08 ,  5F043EE27 ,  5F043EE35 ,  5F043FF10 ,  5F043GG10 ,  5F157AA03 ,  5F157AA12 ,  5F157AA63 ,  5F157AA73 ,  5F157AB23 ,  5F157AB90 ,  5F157AC26 ,  5F157BB14 ,  5F157BB33 ,  5F157BB52 ,  5F157BB53 ,  5F157CA41 ,  5F157CB15 ,  5F157CD49 ,  5F157CE57 ,  5F157DB47
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (9件)
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