特許
J-GLOBAL ID：200903098877060182

半導体集積回路装置およびその製造方法

発明者：
柳田 洋平

柳田 洋平 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について


代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-325826
公開番号（公開出願番号）：特開2004-165197
出願日： 2002年11月08日
公開日（公表日）： 2004年06月10日
要約：
【課題】高速動作が求められる素子と動作信頼性が求められる素子とが同一の歪み基板上に混在する半導体集積回路装置を製造する。【解決手段】単結晶Siからなる基板1上に酸化シリコン膜を成膜し、論理回路形成領域の酸化シリコン膜および基板1をエッチングすることによって溝部3を形成した後、溝部3の底部および側壁を含む基板1上に酸化シリコン膜4を堆積し、その酸化シリコン膜4をエッチバックすることによって溝部3の側壁に酸化シリコン膜4を残す。次いで、溝部3内にSiGe膜5をエピタキシャル成長させ、基板1上の酸化シリコン膜およびSiGe膜5を研磨することにより、その酸化シリコン膜を除去し、メモリ形成領域の基板1の表面高さと論理回路形成領域のSiGe膜5の表面高さを同程度にした後に基板1上にSi膜6をエピタキシャル成長させる。【選択図】 図8
請求項（抜粋）：
半導体基板の主面上の第1領域に形成されたSiGe膜と、前記半導体基板の主面上の第2領域に形成された第1Si膜と、前記SiGe膜および前記第1Si膜上に形成された第2Si膜と、前記SiGe膜および前記第2Si膜の存在下で前記第1領域にて前記半導体基板の主面上に形成された第1MISFETと、前記第1Si膜および前記第2Si膜の存在下で前記第2領域にて前記半導体基板の主面上に形成された第2MISFETとを有する半導体集積回路装置であって、前記第2Si膜は表面が平坦になるように形成され、前記第1MISFETは論理回路を形成し、前記第2MISFETはメモリ回路を形成していることを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (9件)：
H01L27/10 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8244 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/088 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11 ,  H01L27/115
FI (8件)：
H01L27/10 461 ,  H01L27/10 481 ,  H01L27/10 621C ,  H01L27/10 681F ,  H01L27/08 102H ,  H01L27/08 102A ,  H01L27/10 434 ,  H01L27/10 381
Fターム (79件)：
5F048AA08 ,  5F048AB01 ,  5F048AB03 ,  5F048AB06 ,  5F048AB07 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048BA02 ,  5F048BB03 ,  5F048BB04 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BC19 ,  5F048BC20 ,  5F048BD09 ,  5F048BD10 ,  5F048BE02 ,  5F048BE03 ,  5F048BE04 ,  5F048BF01 ,  5F048BF02 ,  5F048BF06 ,  5F048BF07 ,  5F048BF11 ,  5F048BF15 ,  5F048BF16 ,  5F048BG01 ,  5F048BG13 ,  5F048DA19 ,  5F048DA20 ,  5F048DA27 ,  5F083AD31 ,  5F083AD48 ,  5F083AD49 ,  5F083BS27 ,  5F083EP02 ,  5F083EP23 ,  5F083ER22 ,  5F083GA01 ,  5F083GA06 ,  5F083HA07 ,  5F083JA06 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083JA53 ,  5F083JA56 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083LA06 ,  5F083LA07 ,  5F083LA29 ,  5F083MA03 ,  5F083MA04 ,  5F083MA06 ,  5F083MA15 ,  5F083MA16 ,  5F083MA17 ,  5F083MA19 ,  5F083MA20 ,  5F083NA01 ,  5F083PR06 ,  5F083PR10 ,  5F083PR25 ,  5F083PR40 ,  5F083PR43 ,  5F083PR44 ,  5F083PR46 ,  5F083PR53 ,  5F083PR54 ,  5F083PR56 ,  5F083ZA06 ,  5F083ZA12
引用特許：
審査官引用 (7件)
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