特許
J-GLOBAL ID：200903099044945322

半導体装置

発明者：
米澤 岳美

米澤 岳美 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-311399
公開番号（公開出願番号）：特開2005-080184
出願日： 2003年09月03日
公開日（公表日）： 2005年03月24日
要約：
【課題】小振幅の差動信号の中心電圧レベルが所望の値になるようにすることができる半導体装置を実現する。【解決手段】半導体装置は、差動信号を出力する差動信号出力回路と、差動信号出力回路へ差動信号の振幅を制御するための振幅制御信号を発生する振幅制御信号発生回路と、差動信号の中心電圧レベルを制御するための中心電圧レベル制御信号を発生する中心電圧レベル制御信号発生回路とを有する。差動信号出力回路は、中心電圧レベル制御信号に基づく中心電圧レベルと振幅制御信号に基づいた出力レベルを有する差動信号を出力し、中心電圧レベル制御信号発生回路の形成領域と差動信号出力回路の形成領域は、半導体基板上において、2つの形成領域のそれぞれに形成されるトランジスタの動作特性が互いに同等となるような近傍に設けられている。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
差動信号を出力する差動信号出力回路と、 該差動信号出力回路へ前記差動信号の振幅を制御するための振幅制御信号を発生する振幅制御信号発生回路と、 前記差動信号の中心電圧レベルを制御するための中心電圧レベル制御信号を発生する中心電圧レベル制御信号発生回路とを有し、 前記差動信号出力回路は、前記中心電圧レベル制御信号に基づく前記中心電圧レベルと前記振幅制御信号に基づいた出力レベルを有する前記差動信号を出力し、 前記中心電圧レベル制御信号発生回路の形成領域と前記差動信号出力回路の形成領域は、半導体基板上において、2つの前記形成領域のそれぞれに形成されるトランジスタの動作特性が互いに同等となるような近傍に設けられていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H03K19/0175 ,  H03F3/45
FI (2件)：
H03K19/00 101F ,  H03F3/45 Z
Fターム (27件)：
5J056AA04 ,  5J056BB16 ,  5J056DD29 ,  5J056EE12 ,  5J056FF06 ,  5J056FF07 ,  5J056FF08 ,  5J056GG09 ,  5J500AA01 ,  5J500AA12 ,  5J500AC00 ,  5J500AF00 ,  5J500AF10 ,  5J500AH17 ,  5J500AH25 ,  5J500AK00 ,  5J500AK02 ,  5J500AK04 ,  5J500AK11 ,  5J500AK12 ,  5J500AK47 ,  5J500AM21 ,  5J500AT01 ,  5J500DN01 ,  5J500DN12 ,  5J500DN22 ,  5J500DP02
引用特許：
出願人引用 (13件)
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審査官引用 (11件)
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