特許
J-GLOBAL ID：200903099089324280

光半導体素子

発明者：
為本 広昭

為本 広昭 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 豊栖 康弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-019953
公開番号（公開出願番号）：特開2002-222998
出願日： 2001年01月29日
公開日（公表日）： 2002年08月09日
要約：
【要約】【課題】 光半導体素子の小型化による信頼性と放熱効率の低下を抑制することのできる新たな素子構造を提供すること。【解決手段】 絶縁基板の表面に正負一対の導電パターンをその各々が絶縁基板の上面から側面を経て下面に連続的するように形成して成る基材と、前記正負一対の導電パターンを介して前記基材の上面に電気接続された半導体チップと、前記半導体チップを覆う封止樹脂とを備えた光半導体素子において、前記封止樹脂が、前記基材上面と前記基材側面の少なくとも一部とに接着する。また、絶縁基板の側面のうち導電パターンを形成した面の少なくとも1つを絶縁基板上面より見て非直線状に形成する。基材の絶対的な幅は一定としながら、放熱経路となる導電パターンの幅を実効的に広げることができ、さらに、封止樹脂の接着面積を拡大することができる。
請求項（抜粋）：
絶縁基板の表面に正負一対の導電パターンをその各々が絶縁基板の上面から側面を経て下面に連続的するように形成して成る基材と、前記正負一対の導電パターンを介して前記基材の上面に電気接続された半導体チップと、前記半導体チップを覆う封止樹脂とを備えた光半導体素子において、前記封止樹脂が、前記基材上面と前記基材側面の少なくとも一部とに接着していることを特徴とする光半導体素子。
Fターム (9件)：
5F041AA33 ,  5F041AA43 ,  5F041AA47 ,  5F041DA09 ,  5F041DA18 ,  5F041DA19 ,  5F041DA25 ,  5F041DA35 ,  5F041DA55
引用特許：
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (10件)
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