半導体素子の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：磯野道造
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-012768
公開番号（公開出願番号）：特開2004-228582
出願日： 2004年01月21日
公開日（公表日）： 2004年08月12日
要約：

【課題】半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】基板31上に、第1半導体層33、マスク層35及び金属層39を順次に積層する第1段階と、金属層39を陽極酸化してナノサイズのホール(ナノホール)が多数形成される金属酸化物層に変化させる第2段階と、ナノホールが第1半導体層33の表面まで延びるように金属酸化物層をマスクとして前記マスク層35をエッチングする第3段階と、金属酸化物層を除去する第4段階と、マスク層及び第1半導体層の上面に第2半導体層を蒸着する第5段階と、を含む半導体素子の製造方法である。格子不整合によって発生する欠陥密度を減少させ、欠陥分布を分散させることができる。【選択図】図3A

請求項（抜粋）：

基板上に、第1半導体層、マスク層及び金属層を順次に積層する第1段階と、前記金属層を陽極酸化してナノサイズのホールが多数形成された金属酸化物層を形成する第2段階と、前記ナノサイズのホールが前記第1半導体層の表面まで延びるように前記金属酸化物層をマスクとして前記マスク層をエッチングする第3段階と、前記金属酸化物層をエッチングして除去する第4段階と、前記マスク層及び前記第1半導体層の上面に第2半導体層を蒸着する第5段階と、を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01L21/20 , H01L33/00

FI (2件)：

H01L21/20 , H01L33/00 C

Fターム (12件)：

5F041AA03 , 5F041CA04 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA74 , 5F052DA04 , 5F052GC01 , 5F052GC05 , 5F052GC06 , 5F052JA07 , 5F052KA01 , 5F052KA05

引用特許：

審査官引用 (7件)

化合物半導体単結晶の製造方法およびその利用
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-046837 出願人：三菱化学株式会社
GaN系半導体素子とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-274555 出願人：日本電気株式会社
半導体基板および半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-056109 出願人：株式会社リコー

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