特許
J-GLOBAL ID：200903099144272317

基板処理装置及び方法

発明者：
工藤 利雄

工藤 利雄 について

, 
桜木 進

桜木 進 について

, 
牧野 博之

牧野 博之 について


出願人/特許権者：
住友重機械工業株式会社

住友重機械工業株式会社 について


代理人 (1件)： 井上 義雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-171391
公開番号（公開出願番号）：特開2001-007047
出願日： 1999年06月17日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：
【要約】【課題】 高い結晶配向性を有し電気特性に優れる金属配線材料膜からなる配線体等を提供すること。【解決手段】 基板Wを構成するSiウェハ上に複数のトレンチ等を備えるSiO2パターン層を形成する。次に、SiO2パターン層を形成した基板Wを、第1成膜ユニット12中にセットする。次に、第1成膜ユニット12中にセットされた基板WのSiO2パターン層上に、TaNからなるバリア層を形成する。次に、バリア層を形成した基板Wを、第1成膜ユニット12から第2成膜ユニット13に搬送する。次に、第2成膜ユニット13中にセットされた基板Wのバリア層上に、Cuからなる配線本体層を形成する。この際、セルフサーフェスクリーニングにより、バリア層の表面に付着した汚染物質層が除去され、バリア層の表面には、極めて(111)結晶配向性が良く付着性がよい配線本体層が形成される。
請求項（抜粋）：
第1成膜室中に配置された基板上にバリア膜を形成する第1成膜ユニットと、第2成膜室中にプラズマビームを供給する配線膜用プラズマ源と、前記第2成膜室中において基板に対向して配置されて前記プラズマビームを導くとともに金属配線材料を収容可能な材料蒸発源を有する配線膜用ハースとを有する第2成膜ユニットと、を備える基板処理装置。
IPC (4件)：
H01L 21/285 ,  C23C 14/32 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/203
FI (4件)：
H01L 21/285 B ,  C23C 14/32 Z ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 21/88 R
Fターム (56件)：
4K029BA03 ,  4K029BA04 ,  4K029BA05 ,  4K029BA08 ,  4K029BA16 ,  4K029BA21 ,  4K029BA22 ,  4K029BA23 ,  4K029BA58 ,  4K029BA60 ,  4K029BB02 ,  4K029BD02 ,  4K029CA13 ,  4K029DD05 ,  4K029KA01 ,  4K029KA09 ,  4M104BB17 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB37 ,  4M104DD36 ,  4M104FF18 ,  4M104HH01 ,  4M104HH13 ,  4M104HH16 ,  5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033LL07 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033PP06 ,  5F033PP20 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ98 ,  5F033RR04 ,  5F033SS04 ,  5F033SS15 ,  5F033XX02 ,  5F033XX05 ,  5F033XX10 ,  5F103AA02 ,  5F103BB23 ,  5F103BB60 ,  5F103DD28 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103PP01 ,  5F103PP11 ,  5F103RR06
引用特許：
審査官引用 (6件)
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