特許
J-GLOBAL ID：200903099337776797
金属酸化物ナノ粒子に基づく不揮発性抵抗メモリセル、その製造方法、およびそのメモリセル配置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
恩田 博宣
, 恩田 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-203266
公開番号（公開出願番号）：特開2007-036256
出願日： 2006年07月26日
公開日（公表日）： 2007年02月08日
要約：
【課題】金属酸化物ナノ粒子に基づく不揮発性抵抗メモリセル、その製造方法、およびそのメモリセル配置を提供する。【解決手段】第1の導電性電極領域と、第2の導電性電極領域と、それらの間に配置されるメモリ領域とを含む不揮発性メモリが開示されている。メモリ領域は一つ以上の金属酸化物ナノ粒子を含み、該金属酸化物ナノ粒子は、接触位置を介して第1および第2の電極領域に接触して電気的に接続し、外部電圧が加えられた場合に双安定抵抗特性を発揮する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の導電性電極領域と、
第2の導電性電極領域と、
それらの間に配置されるメモリ領域とを備える不揮発性メモリセルであって、前記メモリ領域が一つ以上の金属酸化物ナノ粒子を備え、該金属酸化物ナノ粒子が、接触位置を介して第1および第2の電極領域に接触して電気的に接続するとともに外部電圧が加えられた場合に双安定抵抗特性を発揮する不揮発性メモリセル。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (8件)：
5F083FZ10
, 5F083JA36
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA60
, 5F083LA12
, 5F083LA16
, 5F083PR23
出願人引用 (2件)
-
独国特許出願公開第10245554号明細書
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独国特許出願公開第19744837号明細書
審査官引用 (7件)
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