アルカリ可溶性シロキサン重合体、ポジ型レジスト組成物、レジストパターン及びその製造方法、並びに、電子回路装置及びその製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：廣田浩一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-375658
公開番号（公開出願番号）：特開2003-255546
出願日： 2002年12月25日
公開日（公表日）： 2003年09月10日
要約：

【要約】【課題】酸素プラズマ耐性、解像性、保存安定性等に優れたポジ型レジスト組成物等の提供。【解決手段】下記式(1)で表されるアルカリ可溶性シロキサン重合体と、1,2-ナフトキノンジアジド基を有する感光性化合物とを含有し、1μmの塗膜のi線透過率が5〜60%であるポジ型レジスト組成物。【化1】前記式(1)中、R1及びR2は、一価の有機基を表し、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。Aは、下記式(2)で表されるフェノール性水酸基を有する基を意味する。a+b+c=1である。【化2】前記式(2)中、R3、R4及びR5は、水素原子又は一価の有機基を表し、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。mは、整数を表す。nは、1〜5の整数を表す。0.25≦a≦0.60であり、0≦c≦0.25である態様、酸素プラズマエッチング処理されるレジスト膜に用いられる態様などが好ましい。

請求項（抜粋）：

下記式(1)で表されるアルカリ可溶性シロキサン重合体と、感光性化合物とを含有し、厚みが1μmの塗膜のi線透過率が5〜60%であることを特徴とするポジ型レジスト組成物。【化1】前記式(1)中、R1及びR2は、一価の有機基を表し、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。Aは、下記式(2)で表されるフェノール性水酸基を有する基を表す。a+b+c=1である。【化2】前記式(2)中、R3、R4及びR5は、水素原子又は一価の有機基を表し、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。mは、整数を表す。nは、1〜5の整数を表す。

IPC (5件)：

G03F 7/075 521 , C08G 77/38 , G03F 7/004 504 , G03F 7/40 521 , H01L 21/027

FI (5件)：

G03F 7/075 521 , C08G 77/38 , G03F 7/004 504 , G03F 7/40 521 , H01L 21/30 502 R

Fターム (23件)：

2H025AA02 , 2H025AA09 , 2H025AA11 , 2H025AB16 , 2H025AC01 , 2H025AD03 , 2H025BE01 , 2H025BG00 , 2H025CB33 , 2H025CC04 , 2H025CC20 , 2H025FA39 , 2H025FA44 , 2H096AA25 , 2H096BA09 , 2H096EA02 , 2H096GA08 , 4J035BA06 , 4J035CA041 , 4J035CA051 , 4J035CA081 , 4J035GA01 , 4J035GB09

引用特許：

出願人引用 (6件)

特開平3-103855号公報
ポジ型レジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-217188 出願人：住友化学工業株式会社
特開平1-292036

全件表示

審査官引用 (11件)

特開平1-292036
レジスト下層膜用組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-352989 出願人：ジェイエスアール株式会社
特開昭62-247350

全件表示

前のページに戻る