特許

J-GLOBAL ID：200903099590912184

インダクタ

発明者： 滝川 久美子 ,  田中 聡
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-249306
公開番号（公開出願番号）：特開2000-077610
出願日： 1998年09月03日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、高周波帯で用いるオンチップインダクタの低損失化を目的とする。【解決手段】 シリコン基板を分割する溝と、その溝に充填する絶縁体を有し、その上に螺旋状の配線層によりインダクタを構成する。溝に充填した絶縁体で基板の絶縁性を向上することができ、インダクタから基板への高周波電流リークを減少させてオンチップインダクタの低損失化を図る。

請求項（抜粋）：

複数の溝を有する半導体基板と、該溝に充填された絶縁体と、該絶縁体上に形成された螺旋状の配線層を有することを特徴とするインダクタ。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01F 17/00

FI (2件)：

H01L 27/04 L ,  H01F 17/00 B

Fターム (10件)：

5E070AA01 ,  5E070CB12 ,  5E070CB20 ,  5F038AZ04 ,  5F038CD18 ,  5F038DF02 ,  5F038EZ06 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 集積回路のための導電体
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平9-542247   出願人：テレフオンアクチーボラゲツトエルエムエリクソン
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-123384   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-341515   出願人：日本電気株式会社
• インダクタ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-132498   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-207451   出願人：株式会社東芝
• コイル構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-148581   出願人：ソニー株式会社