プラズマ処理装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：八木田茂 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-249904
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077091
出願日： 1999年09月03日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：

【要約】【課題】装置の本来の機能を維持しながら真空チャンバー内に設けられるそれぞれの高周波電極のプラズマ空間を画定して基板の並列処理を可能にしたプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】真空チャンバー内に設けられた複数の高周波電極の各々のプラズマ生成空間を画定する仕切り部材を設け、各仕切り部材がガスを通過させるが各高周波電極と組合さった各プラズマ生成空間内に生成されたプラズマの漏れを実質的に抑制するように構成される。

請求項（抜粋）：

一つの真空チャンバー内に設けられた複数の高周波電極のそれぞれに処理すべき基板を装着し、真空チャンバー内に発生されたプラズマを利用して所定の処理を行うようにしたプラズマ処理装置において、真空チャンバー内に設けられた複数の高周波電極の各々のプラズマ生成空間を画定する仕切り部材を設け、各仕切り部材がガスを通過させるが各高周波電極と組合さった各プラズマ生成空間内に生成されたプラズマの漏れを実質的に抑制するように構成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 , C23C 16/505 , C23F 4/00 , H01L 21/205 , H05H 1/46

FI (5件)：

H01L 21/302 B , C23C 16/505 , C23F 4/00 A , H01L 21/205 , H05H 1/46 M

Fターム (43件)：

4K030FA03 , 4K030GA02 , 4K030KA08 , 4K030KA12 , 4K057DA20 , 4K057DD01 , 4K057DE01 , 4K057DE06 , 4K057DE11 , 4K057DE20 , 4K057DM03 , 4K057DM06 , 4K057DM28 , 4K057DM33 , 4K057DM35 , 4K057DM39 , 4K057DN01 , 4K057DN02 , 5F004AA16 , 5F004BA06 , 5F004BA09 , 5F004BB11 , 5F004BB18 , 5F004BB21 , 5F004BB22 , 5F004BB23 , 5F004BB25 , 5F004BB29 , 5F004DA00 , 5F004DA04 , 5F004DA16 , 5F004DA25 , 5F004DA26 , 5F004DB25 , 5F045AA08 , 5F045DP03 , 5F045DP13 , 5F045DQ10 , 5F045EH06 , 5F045EH14 , 5F045EJ02 , 5F045EM03 , 5F045EM05

引用特許：

審査官引用 (7件)

成膜装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-267596 出願人：キヤノン株式会社
ドライエッチング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-043822 出願人：株式会社日立製作所
プラズマ励起化学気相成長装置及びプラズマエッチング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-132304 出願人：シャープ株式会社

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