基板処理方法及びマスク製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：日向寺雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-148940
公開番号（公開出願番号）：特開2009-295840
出願日： 2008年06月06日
公開日（公表日）： 2009年12月17日
要約：

【課題】高精度なパターン形成が可能な基板処理方法及びマスク製造方法を提供する。【解決手段】処理液の吐出口と吸引口とを有し、処理対象の基板に対して相対移動可能に設けられたノズルの吐出口及び吸引口を基板の被処理面に対向させ、吐出口から処理液を被処理面に供給しつつこの被処理面上に供給された処理液を吸引口に吸引することで、被処理面の一部の領域のみを選択的に処理液で処理する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

処理液の吐出口と吸引口とを有し、処理対象の基板に対して相対移動可能に設けられたノズルの前記吐出口及び前記吸引口を前記基板の被処理面に対向させ、前記吐出口から前記処理液を前記被処理面に供給しつつこの被処理面上に供給された処理液を前記吸引口に吸引することで、前記被処理面の一部の領域のみを選択的に前記処理液で処理することを特徴とする基板処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , G03F 1/08 , H01L 21/304

FI (4件)：

H01L21/30 569F , G03F1/08 X , H01L21/304 643C , H01L21/304 648G

Fターム (35件)：

2H095BA01 , 2H095BB14 , 2H095BB22 , 2H095BB30 , 2H095BD03 , 2H095BE05 , 5F046AA18 , 5F046LA03 , 5F046LA14 , 5F046LA18 , 5F046LA19 , 5F157AA73 , 5F157AA91 , 5F157AB02 , 5F157AB13 , 5F157AB22 , 5F157AB98 , 5F157AC26 , 5F157BB22 , 5F157BB34 , 5F157BB53 , 5F157CB01 , 5F157CB11 , 5F157CB31 , 5F157CD14 , 5F157CD15 , 5F157CD16 , 5F157CD27 , 5F157CE10 , 5F157CE11 , 5F157CE25 , 5F157CE32 , 5F157CF42 , 5F157DB37 , 5F157DB47

引用特許：

出願人引用 (1件)

基板処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-191175 出願人：株式会社東芝

審査官引用 (8件)

ウェーハ処理装置およびウェーハ処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-239209 出願人：東芝マイクロエレクトロニクス株式会社, 株式会社東芝
マスク欠陥修正装置およびマスク欠陥修正方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-070965 出願人：ソニー株式会社
位相シフトマスクの修理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-211540 出願人：三星電子株式会社

全件表示

前のページに戻る