半導体装置の製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：吉竹英俊 , 有田貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-132681
公開番号（公開出願番号）：特開2009-283586
出願日： 2008年05月21日
公開日（公表日）： 2009年12月03日
要約：

【課題】製造プロセスが比較的容易で、かつMOSFETの特性のばらつきを抑えることができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 Si基板1上に、界面酸化膜5,5a、ゲート絶縁膜6、金属ゲート電極7およびポリシリコンゲート電極8を順次形成してパターニングし、側面にシリコン酸化膜10を形成し、さらにサイドウォール17を形成する。サイドウォール17をマスクとしてSiGe-p型S/D18a、n型S/D20およびp型S/D21を形成した後、サイドウォール17を除去し、露出したシリコン酸化膜10をマスクとして、エクステンション層12,14,25,27およびハロー層13,15,26,28を形成する。さらにシリコン酸化膜10を介して、金属ゲート電極7などの側面にサイドウォール33を形成した後、サイドウォール33をマスクとして、金属シリサイド35を形成する。【選択図】図21

請求項（抜粋）：

半導体基板の一方の表面にトランジスタが形成される半導体装置の製造方法であって、前記半導体基板の一方の表面上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極の側面に、ゲート電極を保護する保護膜を形成する工程と、前記保護膜を介して、前記ゲート電極の側面に第1のサイドウォールを形成する工程と、前記半導体基板のうちで前記ゲート電極、前記保護膜および前記第1のサイドウォールの下方の部分の側方に、ソース・ドレイン領域を形成する工程と、前記第1のサイドウォールを除去して、前記保護膜を露出させる工程と、前記半導体基板のうちで前記ゲート電極および前記保護膜の下方の部分の側方に、エクステンション層を形成する工程と、前記エクステンション層および前記ソース・ドレイン領域の一部分を覆うように、前記ゲート電極の側面に、前記保護膜を介して、第2のサイドウォールを形成する工程と、前記半導体基板のうちで前記ゲート電極、前記保護膜および前記第2のサイドウォールの下方の部分の側方であって、前記ソース・ドレイン領域の一部分に、電極部を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 29/78 , H01L 21/336 , H01L 21/823 , H01L 27/088 , H01L 27/092

FI (7件)：

H01L29/78 301G , H01L29/78 301L , H01L29/78 301P , H01L27/08 102B , H01L27/08 321E , H01L27/08 102C , H01L27/08 321D

Fターム (71件)：

5F048AA05 , 5F048AA07 , 5F048AC01 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BA14 , 5F048BB03 , 5F048BB06 , 5F048BB07 , 5F048BB08 , 5F048BB09 , 5F048BB11 , 5F048BB13 , 5F048BB14 , 5F048BB16 , 5F048BC01 , 5F048BC05 , 5F048BC06 , 5F048BC18 , 5F048BD01 , 5F048BD04 , 5F048BD10 , 5F048BE03 , 5F048BF06 , 5F048BF16 , 5F048BG13 , 5F048DA25 , 5F048DA27 , 5F048DA30 , 5F140AA40 , 5F140AB03 , 5F140BA01 , 5F140BD01 , 5F140BD04 , 5F140BD05 , 5F140BD09 , 5F140BF10 , 5F140BF14 , 5F140BF21 , 5F140BF28 , 5F140BG10 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BG22 , 5F140BG34 , 5F140BG37 , 5F140BG45 , 5F140BG50 , 5F140BG53 , 5F140BG54 , 5F140BH06 , 5F140BH14 , 5F140BH27 , 5F140BH35 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BK02 , 5F140BK03 , 5F140BK09 , 5F140BK13 , 5F140BK18 , 5F140BK21 , 5F140BK25 , 5F140BK27 , 5F140BK34 , 5F140BK39 , 5F140CB08 , 5F140CC01 , 5F140CC03 , 5F140CC08 , 5F140CF04

引用特許：

出願人引用 (1件)

MOS構造を有する半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-201701 出願人：株式会社ルネサステクノロジ

審査官引用 (5件)

半導体装置及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-348044 出願人：松下電器産業株式会社
減少されたゲート高さを有するトランジスタを製造する方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2006-524629 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-043824 出願人：株式会社日立製作所

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