特許
J-GLOBAL ID：200903099966862094

窒化物半導体結晶成長用基体、窒化物半導体積層体、窒化物半導体自立基板及びそれらの製造方法

発明者：
清見 和正

清見 和正 について

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藤井 克司

藤井 克司 について

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桜井 規央

桜井 規央 について

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小池 佳代

小池 佳代 について

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佐藤 忠重

佐藤 忠重 について

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手束 英樹

手束 英樹 について


出願人/特許権者：
三菱化学株式会社

三菱化学株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人特許事務所サイクス
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-430906
公開番号（公開出願番号）：特開2005-191286
出願日： 2003年12月25日
公開日（公表日）： 2005年07月14日
要約：
【課題】 低欠陥密度の窒化物半導体結晶成長用基体、窒化物半導体積層体、及び比較的容易に窒化物半導体層と基板とを脱離できる窒化物半導体自立基板の提供、及び低欠陥密度の窒化物半導体結晶成長用基体、窒化物半導体積層体、及び窒化物半導体自立基板の製造方法の提供。【解決手段】 窒化物半導体結晶を成長させるための下地基板と、該下地基板の一方の面上に形成された、開口部を有する第一マスクと、該第一マスク上に形成された、挿通孔を有する第二マスクとからなる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
窒化物半導体結晶を成長させるための下地基板と、該下地基板上に形成された、開口部を有する第一マスクと、該第一マスク上に形成された、挿通孔を有する第二マスクとからなることを特徴とする窒化物半導体結晶成長用基体。
IPC (2件)：
H01L21/205 ,  C30B29/38
FI (2件)：
H01L21/205 ,  C30B29/38 D
Fターム (35件)：
4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077BE15 ,  4G077DA01 ,  4G077DB01 ,  4G077ED06 ,  4G077EE07 ,  4G077EF02 ,  4G077EF03 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA12 ,  4G077SC10 ,  4G077TA04 ,  4G077TB02 ,  4G077TB05 ,  4G077TC16 ,  4G077TK08 ,  4G077TK11 ,  5F045AA03 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB18 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF05 ,  5F045AF09 ,  5F045BB08 ,  5F045BB12 ,  5F045CA09 ,  5F045DA53 ,  5F045DB01 ,  5F045DB06 ,  5F045HA11
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (4件)
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