文献

J-GLOBAL ID：201002256556974532   整理番号：10A0700734

Ar/F₂プラズマを用いたSiの反応性イオンエッチング

Reactive Ion Etching of Si Using Ar/F₂ Plasma

著者 (3件)： MATSUTANI Akihiro (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  OHTSUKI Hideo (Samco Inc., Kyoto, JPN) ,  KOYAMA Fumio (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49  号： 6,Issue 2  ページ： 06GH05.1-06GH05.3  発行年： 2010年06月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ar/F₂プラズマを用いたSiドライエッチングを調べた。光学素子作製の要件を満たす垂直エッチングプロファイルと平滑なエッチ表面を得た。Siのエッチング速度は5Pa及び150Wにおいて約0.1μm/分であった。Ar/F₂プラズマエッチングはフォトニック結晶,狭い光導波路,微小電子機械システム(MEMS),等のSi系光学素子を作製するための非常に単純で有用な工程であると思われる。また,Fの地球温暖可能性は零であるので,このエッチング工程は地球環境の保護に適する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： プラズマ ,  アルゴン ,  フッ素 ,  *加工速度 ,  防止 ,  地球環境 ,  環境保全 ,  *RIE【エッチング】 ,  *ケイ素 ,  光学素子
準シソーラス用語： *エッチング速度 ,  地球温暖化防止

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (13件)：

• S. Tachi, K. Tsujimoto, S. Arai, and T. Kure: J. Vac. Sci. Technol. A 9(1991)796.
• S. Tachi, K. Tsujimoto, and S. Okudaira: Appl. Phys. Lett.52(1988)616.
• T. D. Bestwick, G. S. Oehrlein, and D. Angell: Appl. Phys. Lett.57(1990)431.
• M. J. M. Vugts, L. J. F. Hermans, and H. C. W. Beijerinck: J. Vac. Sci. Technol. A 14(1996)2820.
• B. Bahreyni and C. Shafai: Proc.2002 IEEE Canadian Conf. Electrical and Computer Engineering, 2002, p. 460.

タイトルに関連する用語 (4件)： Ar ,  プラズマ ,  Si ,  反応性イオンエッチング