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J-GLOBAL ID：201002274799325450   整理番号：10A0465501

溝状パターン化されたAlN/サファイアのテンプレートの上に成長した厚いAlN層内部の局所歪分布

Distribution of local strain in thick AlN layers grown on a trench-patterned AlN/sapphire template

著者 (11件)： SOAM V. (Osaka Univ.) ,  YOSHITAKE O. (Osaka Univ.) ,  EBIHARA K. (Osaka Univ.) ,  KIKKAWA J. (Osaka Univ.) ,  NAKAMURA Y. (Osaka Univ.) ,  SAKAI A. (Osaka Univ.) ,  MIYAKE H. (Mie Univ.) ,  HIRAMATSU K. (Mie Univ.) ,  IMAI Y. (JASRI) ,  KIMURA S. (JASRI) ,  SAKATA O. (JASRI)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 57th  ページ： ROMBUNNO.17A-TB-10  発行年： 2010年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *窒化アルミニウム ,  化合物半導体 ,  積層構造 ,  パターン形成 ,  溝形 ,  *エピタクシー ,  厚膜 ,  *歪分布 ,  X線回折 ,  電子顕微鏡観察
準シソーラス用語： *HVPE ,  サファイア基板 ,  *テンプレート【型】 ,  *局所歪

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： AlN ,  サファイア ,  テンプレート ,  成長 ,  局所歪 ,  分布