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J-GLOBAL ID：201002294317563201   整理番号：10A0655106

Si-L₂₃VV Auger電子-Si-2p光電子同時分光法を用いた清浄なSi(100)-2×1の原子価電子構造の表面部位選択的研究

Surface-Site-Selective Study of Valence Electronic Structures of Clean Si(100)-2×1 Using Si-L₂₃VV Auger Electron-Si-2p Photoelectron Coincidence Spectroscopy

著者 (7件)： KAKIUCHI Takuhiro (Ehime Univ., Matsuyama, JPN) ,  HASHIMOTO Shogo (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN) ,  FUJITA Narihiko (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN) ,  TANAKA Masatoshi (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN) ,  MASE Kazuhiko (KEK, Ibaraki, JPN) ,  MASE Kazuhiko (JST-PRESTO, Tokyo, JPN) ,  NAGAOKA Shin-ichi (Ehime Univ., Matsuyama, JPN)
資料名： Journal of the Physical Society of Japan  (Journal of the Physical Society of Japan)
巻： 79  号： 6  ページ： 064714.1-064714.4  発行年： 2010年06月15日 
JST資料番号： G0509A  ISSN： 0031-9015  CODEN： JUPSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si-L₂₃VV Auger電子-Si-2p光電子同時分光法を用いて表面部位選択的に清浄なSi(100)-2×1表面の原子価電子構造を調べた。Si(100)-2×1のSi上方原子あるいはSi第二層から放出されるSi 2p光電子と同時に測定したSi-L₂₃VV Auger電子スペクトルは,Si上方原子の近傍に最高密度の原子価電子状態が存在する位置がSi第二層の近傍におけるそれに対してより低い結合エネルギーの方向に0.8eVだけシフトすることを示唆する。さらに,Si上方原子の近傍における原子価帯の極大がSi第二層の近傍におけるそれに対してより低いエネルギーの方向に0.1eVだけシフトすることを示した。これらの結果は,Si第二層からSi上方原子への負電荷輸送の直接的証拠である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *光電子スペクトル ,  *Augerスペクトル ,  *ケイ素 ,  価電子 ,  電子構造 ,  *同時計測 ,  半導体
準シソーラス用語： 原子価電子

分類 (1件)： 電子分光スペクトル  (BM09060K)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  Auger電子 ,  光電子 ,  分光法 ,  原子価電子 ,  研究