特許
J-GLOBAL ID：201003010507421808

駆動回路及び表示装置

発明者：
小山 潤

小山 潤 について

, 
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-246069
公開番号（公開出願番号）：特開2010-135762
出願日： 2009年10月27日
公開日（公表日）： 2010年06月17日
要約：
【課題】酸化物半導体にチャネル形成領域を設ける薄膜トランジスタで構成された駆動回路を有する表示装置において、回路が占める面積を大きくすることなく、薄膜トランジスタのしきい値電圧のシフトを低減し、且つ薄膜トランジスタをオフにした際にソースとドレインの間を流れる電流を低減する。【解決手段】複数のインバータ回路及び複数のスイッチを有し、インバータ回路は、第1の酸化物半導体膜を有する第1の薄膜トランジスタと、第2の酸化物半導体膜を有する第2のトランジスタと、を有し、第1の薄膜トランジスタ及び第2の薄膜トランジスタは、エンハンスメント型であり、第1の酸化物半導体膜及び第2の酸化物半導体膜上に接してOH基を有する酸化珪素膜が設けられ、酸化珪素膜上に接して窒化珪素膜が設ける。【選択図】図9
請求項（抜粋）：
複数のインバータ回路及び複数のスイッチを有し、 前記インバータ回路は、 第1の酸化物半導体膜を有し、ゲート端子及び第1端子が高電源電位を供給する配線に接続された第1の薄膜トランジスタと、 第2の酸化物半導体膜を有し、前記第1の薄膜トランジスタの第2端子が第1端子に接続され、第2端子が低電源電位を供給する配線に接続され、ゲート端子に入力信号が供給される第2のトランジスタと、を有し、 前記第1の薄膜トランジスタ及び前記第2の薄膜トランジスタは、エンハンスメント型であり、 前記第1の酸化物半導体膜及び前記第2の酸化物半導体膜上に接してOH基を有する酸化珪素膜が設けられ、前記酸化珪素膜上に接して窒化珪素膜が設けられることを特徴とする表示装置の駆動回路。
IPC (5件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/28 ,  G02F 1/136 ,  G02F 1/133
FI (8件)：
H01L29/78 619A ,  H01L29/78 612B ,  H01L29/78 613Z ,  H01L21/90 A ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/28 301R ,  G02F1/1368 ,  G02F1/133 550
Fターム (144件)：
2H092GA50 ,  2H092GA59 ,  2H092JA26 ,  2H092JA44 ,  2H092JB57 ,  2H092JB63 ,  2H092KA08 ,  2H092KB24 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA14 ,  2H092MA19 ,  2H092MA29 ,  2H092NA22 ,  2H092NA27 ,  2H092NA30 ,  2H092PA06 ,  2H193ZA04 ,  2H193ZD34 ,  2H193ZE02 ,  2H193ZE04 ,  2H193ZF03 ,  2H193ZF23 ,  2H193ZF32 ,  2H193ZF35 ,  2H193ZP03 ,  4M104AA03 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB03 ,  4M104BB04 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB29 ,  4M104BB30 ,  4M104BB31 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD63 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH03 ,  4M104HH15 ,  5F033GG03 ,  5F033GG04 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033HH21 ,  5F033HH38 ,  5F033JJ01 ,  5F033KK09 ,  5F033KK17 ,  5F033KK18 ,  5F033KK19 ,  5F033KK20 ,  5F033KK21 ,  5F033MM05 ,  5F033MM08 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ34 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ73 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033RR05 ,  5F033RR06 ,  5F033RR07 ,  5F033RR08 ,  5F033SS03 ,  5F033SS04 ,  5F033SS08 ,  5F033SS11 ,  5F033SS21 ,  5F033TT02 ,  5F033VV15 ,  5F110AA04 ,  5F110AA06 ,  5F110AA08 ,  5F110BB02 ,  5F110BB03 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE38 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG15 ,  5F110GG22 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK08 ,  5F110HK15 ,  5F110HK16 ,  5F110HK21 ,  5F110HK33 ,  5F110HK41 ,  5F110HK42 ,  5F110HM04 ,  5F110HM12 ,  5F110NN03 ,  5F110NN05 ,  5F110NN12 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ09
引用特許：
審査官引用 (8件)
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