特許
J-GLOBAL ID：200903098377620386

多孔質膜の前駆体組成物及びその調製方法、多孔質膜及びその作製方法、並びに半導体装置

発明者：
藤井 宣年

藤井 宣年 について

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中山 高博

中山 高博 について

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金山 敏彦

金山 敏彦 について

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高村 一夫

高村 一夫 について

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田中 博文

田中 博文 について


出願人/特許権者：
株式会社アルバック

株式会社アルバック について

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独立行政法人産業技術総合研究所

独立行政法人産業技術総合研究所 について

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三井化学株式会社

三井化学株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人エクシオ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-084206
公開番号（公開出願番号）：特開2006-265350
出願日： 2005年03月23日
公開日（公表日）： 2006年10月05日
要約：
【課題】 低誘電率、低屈折率、高機械的強度を有する疎水性多孔質膜及びその作製方法、この多孔質膜を作製するための多孔質膜の前駆体組成物及びその調製方法、並びにこの多孔質膜を利用した半導体装置の提供。【解決手段】 式:Si(OR1)4及びRa(Si)(OR2)4-a(式中、R1は1価の有機基を表し、Rは水素原子、フッ素原子又は1価の有機基を表し、R2は1価の有機基を表し、aは1〜3の整数であり、R、R1及びR2は同一であっても異なっていてもよい)で示される化合物から選ばれた少なくとも1種の化合物と、250°C以上で熱分解を示す熱分解性有機化合物と、触媒作用をなす元素と、有機溶媒とからなる多孔質膜の前駆体組成物。この前駆体組成物の溶液を用いて疎水性化合物と気相重合反応せしめ、多孔質膜を作製する。この多孔質膜を用いた半導体装置。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
次の一般式(1): Si(OR1)4 (1) で示される化合物(A)、及び次の一般式(2): Ra(Si)(OR2)4-a (2) で示される化合物(B) (上記式(1)及び(2)中、R1は1価の有機基を表し、Rは水素原子、フッ素原子又は1価の有機基を表し、R2は1価の有機基を表し、aは1〜3の整数であり、R、R1及びR2は同一であっても異なっていてもよい。) から選ばれた少なくとも1種の化合物と、250°C以上で熱分解を示す熱分解性有機化合物(C)と、電気陰性度が2.5以下である両性元素、イオン半径が1.6Å以上の元素及び原子量が130以上である元素から選ばれた少なくとも1種の元素(D)とを含有することを特徴とする多孔質膜の前駆体組成物。
IPC (3件)：
C09D 7/12 ,  C09D 183/00 ,  H01L 21/316
FI (3件)：
C09D7/12 ,  C09D183/00 ,  H01L21/316 G
Fターム (51件)：
4J002AB041 ,  4J002CH021 ,  4J002CH051 ,  4J002DE068 ,  4J002DE098 ,  4J002DE148 ,  4J002DE188 ,  4J002DF038 ,  4J002EH047 ,  4J002EH057 ,  4J002EX026 ,  4J002EX036 ,  4J002EZ008 ,  4J002EZ018 ,  4J002FD311 ,  4J002FD317 ,  4J002GQ05 ,  4J038DL021 ,  4J038DL031 ,  4J038DL041 ,  4J038DL071 ,  4J038HA016 ,  4J038HA061 ,  4J038HA441 ,  4J038JC32 ,  4J038MA06 ,  4J038NA11 ,  4J038NA17 ,  4J038PB09 ,  4J246AA03 ,  4J246AA18 ,  4J246BA31 ,  4J246CA24X ,  4J246GB15 ,  4J246GB18 ,  4J246GC24 ,  4J246GC53 ,  4J246GD09 ,  4J246HA63 ,  4J246HA66 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC04 ,  5F058BC05 ,  5F058BD04 ,  5F058BD06 ,  5F058BD07 ,  5F058BF46 ,  5F058BH02 ,  5F058BH03 ,  5F058BJ02
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (16件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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