特許

J-GLOBAL ID：200903070339413030

膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜

発明者： 秋山 将宏 ,  服部 清太郎 ,  小尾 正樹 ,  長谷川 公一
出願人/特許権者： JSR株式会社
代理人 (3件)： 大渕 美千栄 ,  布施 行夫 ,  井上 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-273469
公開番号（公開出願番号）：特開2005-120355
出願日： 2004年09月21日
公開日（公表日）： 2005年05月12日
要約：

【課題】 低い比誘電率を有し、薬液耐性に優れた膜が形成可能な膜形成用組成物を提供する。【解決手段】 本発明の膜形成用組成物は(A)下記一般式(1)で表される化合物(A-1)、下記一般式(2)で表される化合物(A-2)、および下記一般式(3)で表される化合物(A-3)より選ばれる少なくとも1種のシラン化合物、 RaSi(OR1)4-a ・・・・・(1) Si(OR2)4 ・・・・・(2) R3b(R4O)3-bSi-(R7)d-Si(OR5)3-cR6c ・・・・・(3)および(B)下記一般式(4)で表される環状シラン化合物【化1】 ・・・・・(4)を加水分解縮合して得られる加水分解縮合物(I)と、加水分解縮合物(I)に相溶または分散し、沸点または分解温度が200〜400°Cである化合物(II)と、有機溶剤(III)と、を含む。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

(A)下記一般式(1)で表される化合物(A-1)、下記一般式(2)で表される化合物(A-2)、および下記一般式(3)で表される化合物(A-3)より選ばれる少なくとも1種のシラン化合物、および RaSi(OR1)4-a ・・・・・(1) 〔式中、Rは水素原子、フッ素原子または1価の有機基を示し、R1は1価の有機基を示し、aは1〜2の整数を表す。〕 Si(OR2)4 ・・・・・(2) 〔式中、R2は1価の有機基を示す。〕 R3b(R4O)3-bSi-(R7)d-Si(OR5)3-cR6c ・・・・・(3) 〔式中、R3,R4,R5およびR6は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ1価の有機基を示し、bおよびcは、同一でも異なっていてもよく、0〜2の数を示し、R7は酸素原子、フェニレン基または-(CH2)m-で表される基を示し(ここで、mは1〜6の整数である。)、dは0または1を表す。〕 (B)下記一般式(4)で表される環状シラン化合物

IPC (12件)：

C09D183/04 ,  B05D3/02 ,  B05D3/04 ,  B05D3/06 ,  B05D7/24 ,  C08F299/08 ,  C08G77/46 ,  C09D7/12 ,  C09D133/04 ,  C09D171/02 ,  C09D183/02 ,  C09D183/14

FI (12件)：

C09D183/04 ,  B05D3/02 D ,  B05D3/04 C ,  B05D3/06 Z ,  B05D7/24 302Y ,  C08F299/08 ,  C08G77/46 ,  C09D7/12 ,  C09D133/04 ,  C09D171/02 ,  C09D183/02 ,  C09D183/14

Fターム (123件)：

4D075BB24Z ,  4D075BB46Z ,  4D075BB47Z ,  4D075BB49Z ,  4D075BB93Z ,  4D075CA44 ,  4D075EB42 ,  4D075EC35 ,  4J038CC032 ,  4J038CC072 ,  4J038CG142 ,  4J038CG172 ,  4J038CK032 ,  4J038DA022 ,  4J038DA052 ,  4J038DF012 ,  4J038DF022 ,  4J038DF042 ,  4J038DH002 ,  4J038DJ012 ,  4J038DL032 ,  4J038DL051 ,  4J038GA03 ,  4J038GA06 ,  4J038GA09 ,  4J038GA13 ,  4J038JA02 ,  4J038JA03 ,  4J038JA26 ,  4J038JA33 ,  4J038JA55 ,  4J038JB12 ,  4J038JB25 ,  4J038JC02 ,  4J038JC11 ,  4J038JC18 ,  4J038KA06 ,  4J038KA09 ,  4J038NA04 ,  4J038NA21 ,  4J038PA17 ,  4J038PA19 ,  4J127AA02 ,  4J127AA03 ,  4J127AA04 ,  4J127BB041 ,  4J127BB091 ,  4J127BB151 ,  4J127BB221 ,  4J127BC061 ,  4J127BC151 ,  4J127BD281 ,  4J127BD321 ,  4J127BD331 ,  4J127BD351 ,  4J127BE11Y ,  4J127BE111 ,  4J127BE57Y ,  4J127BE571 ,  4J127BF19X ,  4J127BF191 ,  4J127BF71X ,  4J127BF71Y ,  4J127BF711 ,  4J127BG12X ,  4J127BG121 ,  4J127BG38X ,  4J127BG38Y ,  4J127BG381 ,  4J127CA01 ,  4J127DA17 ,  4J127DA54 ,  4J127FA08 ,  4J127FA37 ,  4J127FA41 ,  4J246AA03 ,  4J246AA11 ,  4J246BA26X ,  4J246BA260 ,  4J246BA27X ,  4J246BA270 ,  4J246BB02X ,  4J246BB020 ,  4J246BB021 ,  4J246BB022 ,  4J246BB130 ,  4J246BB140 ,  4J246BB450 ,  4J246CA010 ,  4J246CA040 ,  4J246CA14U ,  4J246CA14X ,  4J246CA140 ,  4J246CA230 ,  4J246CA24X ,  4J246CA240 ,  4J246CA34X ,  4J246CA340 ,  4J246CA400 ,  4J246CA460 ,  4J246CA680 ,  4J246CA760 ,  4J246EA14 ,  4J246FA071 ,  4J246FA081 ,  4J246FA131 ,  4J246FA291 ,  4J246FA421 ,  4J246FA441 ,  4J246FB032 ,  4J246FB041 ,  4J246FB051 ,  4J246FB071 ,  4J246FB081 ,  4J246FB182 ,  4J246FB211 ,  4J246FC131 ,  4J246FC141 ,  4J246GB05 ,  4J246GB33 ,  4J246GC53 ,  4J246GD08 ,  4J246HA63

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 半導体装置の絶縁膜およびその絶縁膜形成用塗布液
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-331689   出願人：川崎製鉄株式会社
• 膜形成用組成物、その製造方法および層間絶縁膜用材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-158673   出願人：ジェイエスアール株式会社
• 膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-086895   出願人：ジェイエスアール株式会社

審査官引用 (7件)

• 膜形成用組成物および絶縁膜形成用材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-118951   出願人：ジェイエスアール株式会社
• 半導体層間絶縁膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-359541   出願人：三星電子株式会社
• 膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-086895   出願人：ジェイエスアール株式会社
• 多孔質絶縁膜用組成物、その製造方法、多孔質絶縁膜およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-080811   出願人：富士写真フイルム株式会社
• 膜形成用組成物の製造方法、膜形成用組成物および絶縁膜形成用材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-157643   出願人：ジェイエスアール株式会社
• シリコン膜またはシリコン酸化膜の形成方法およびそのための組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-245947   出願人：ジェイエスアール株式会社
• 硬化性エポキシ樹脂組成物および電子部品
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-045453   出願人：東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社