特許
J-GLOBAL ID：201003018238717500
窒化物半導体構造
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
谷 義一
, 濱中 淳宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-070609
公開番号（公開出願番号）：特開2010-222174
出願日： 2009年03月23日
公開日（公表日）： 2010年10月07日
要約：
【課題】原子レベルで平坦な表面またはヘテロ界面を有する窒化物半導体構造を提供すること。【解決手段】窒化物半導体基板101は、(0001)面を主方位面とするGaNであり、らせん成分を含む貫通転位104の密度は1×105cm-2であった。窒化物半導体基板101の主方位面上にマスク材102(酸化シリコン薄膜、厚さ100nm)が形成されている。また、マスク材102には複数の開口部103が開けられている。開口部103のそれぞれは、1辺が8ミクロンの正六角形である。開口部103のそれぞれには、厚さが500nmのGaN薄膜105が形成されている。様々な条件下で貫通転位104の密度と開口部103の面積との関係を検討すると、貫通転位密度がN cm-2である場合、各開口部103の面積が1/N cm2以下であれば各開口部103内に形成した窒化物半導体薄膜の表面が平坦になることを見出した。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
窒化物半導体基板と、
前記窒化物半導体基板上に形成された、複数の開口部を有するマスク層と、
前記複数の開口部のそれぞれに形成された複数の窒化物半導体薄膜と
を備える窒化物半導体構造であって、
各開口部の面積は、前記窒化物半導体基板のらせん成分を含む貫通転位密度の逆数より狭いことを特徴とする窒化物半導体構造。
IPC (3件)：
C30B 29/38
, H01L 29/88
, H01L 21/205
C30B29/38 D
, H01L29/88
, H01L21/205
4G077AA03
, 4G077AB01
, 4G077AB09
, 4G077BE15
, 4G077ED06
, 4G077EE07
, 4G077HA02
, 4G077HA06
, 4G077HA12
, 5F045AB14
, 5F045AF02
, 5F045AF03
, 5F045AF09
, 5F045AF13
, 5F045BB12
, 5F045DA52
, 5F045DA53
, 5F045DA55
, 5F045DB02
