特許
J-GLOBAL ID：201003021690827461
プラズマ処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-254377
公開番号（公開出願番号）：特開2010-087227
出願日： 2008年09月30日
公開日（公表日）： 2010年04月15日
要約：
【課題】真空雰囲気において処理容器内の基板に対して処理ガスをプラズマ化したプラズマを供給してプラズマ処理を行うにあたって、面内均一性高く処理を行うこと。【解決手段】基板を載置する載置台に対向するように、下面に多数のガス吐出孔が形成されたガスシャワーヘッドを処理容器の天壁に設けると共に、このガスシャワーヘッドの周囲における処理容器の天壁を誘電体により構成し、この誘電体上に基板の上方の処理領域の周囲にマイクロ波により前記基板の径方向に概略平行な電界を形成し、更にガスシャワーヘッドに負の直流電圧を印加する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板に対してプラズマにより処理を行うプラズマ処理装置において、
処理容器内に設けられ、基板を載置するための載置台と、
この載置台に対向するように設けられ、前記処理容器内に処理ガスを供給するための多数のガス吐出孔がその下面に形成された導電性部材からなるガスシャワーヘッドと、
前記ガスシャワーヘッドの下方空間を囲む領域において処理ガスをプラズマ化するためにマイクロ波が供給されるマイクロ波供給部と、
前記ガスシャワーヘッドに負の直流電圧を印加し、前記マイクロ波により形成された電界を処理領域の中央部側に引き込むための負電圧供給手段と、
前記処理容器内を真空排気するための手段と、を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (4件)：
H01L 21/306
, H05H 1/46
, C23C 16/511
, C23C 16/52
H01L21/302 101D
, H05H1/46 B
, C23C16/511
, C23C16/52
4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030FA02
, 4K030KA20
, 4K030KA30
, 4K030KA41
, 4K030LA15
, 5F004AA01
, 5F004BA16
, 5F004BB12
, 5F004BB13
, 5F004BB14
, 5F004BB18
, 5F004BB28
, 5F004CA03
, 5F004CA06
, 5F004CA08
, 5F004DA00
, 5F004DA04
, 5F004DA23
, 5F004DB00
, 5F004DB02
, 5F004DB03
, 5F004DB23
, 5F004DB26
, 5F004EB02
