特許
J-GLOBAL ID：201003024000376097

酸化物超伝導薄膜の製造方法

発明者：
木場 信一郎

木場 信一郎 について


出願人/特許権者：
独立行政法人国立高等専門学校機構

独立行政法人国立高等専門学校機構 について


代理人 (1件)： 吉永 純一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-065969
公開番号（公開出願番号）：特開2010-215467
出願日： 2009年03月18日
公開日（公表日）： 2010年09月30日
要約：
【課題】結晶性に優れた酸化物超伝導薄膜を形成可能とするとともに、当該酸化物超伝導薄膜を含んで高い超伝導転移温度を有する超伝導薄膜積層体を形成可能で、製造工程中に有毒元素を含まない酸化物超伝導薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】単結晶基板上にYBa2Cu3Oxで構成されるバッファー薄膜を形成する第1の工程と、バッファー薄膜上に連続してBa-Ca-Cu-O系酸化物超伝導薄膜を形成する第2の工程とを備え、第1の工程は、前記バッファー薄膜をパルスレーザーデポジション法によりエピタキシャル成長させるバッファー薄膜成長工程を含み、第2の工程は、バッファー薄膜上に酸化物超伝導薄膜をパルスレーザーデポジション法によりエピタキシャル成長させる超伝導薄膜成長工程と、超伝導薄膜成長工程に連続し、基板温度を徐冷させる徐冷工程と、徐冷工程に連続し、基板温度を急冷させる急冷工程とを含む。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
単結晶基板上に、バッファー薄膜を介してBaCanCun+1Oz(n≧0)又はBa2CanCun+1Oz(n≧0)で構成される酸化物超伝導薄膜を、所定の基板温度及び所定の酸素圧中で形成する酸化物超伝導薄膜の製造方法であって、 前記単結晶基板上にYBa2Cu3Oxで構成される前記バッファー薄膜を形成する第1の工程と、 前記バッファー薄膜上に連続して前記酸化物超伝導薄膜を形成する第2の工程とを備え、 前記第1の工程は、前記バッファー薄膜をパルスレーザーデポジション法によりエピタキシャル成長させるバッファー薄膜成長工程を含み、 前記第2の工程は、前記酸化物超伝導薄膜をパルスレーザーデポジション法によりエピタキシャル成長させる超伝導薄膜成長工程と、 前記超伝導薄膜成長工程に連続し、前記基板温度を徐冷させる徐冷工程と、 前記徐冷工程に連続し、前記基板温度を急冷させる急冷工程とを含む酸化物超伝導薄膜の製造方法。
IPC (4件)：
C30B 29/22 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/28 ,  H01L 39/24
FI (4件)：
C30B29/22 501K ,  C23C14/08 L ,  C23C14/28 ,  H01L39/24 B
Fターム (29件)：
4G077AA03 ,  4G077BC52 ,  4G077DA03 ,  4G077DA11 ,  4G077EA02 ,  4G077EA04 ,  4G077EA07 ,  4G077EF03 ,  4G077FE03 ,  4G077FE13 ,  4G077HA08 ,  4G077SA04 ,  4G077SA07 ,  4K029AA04 ,  4K029AA24 ,  4K029BA02 ,  4K029BA50 ,  4K029BB02 ,  4K029BB09 ,  4K029BC04 ,  4K029CA02 ,  4K029DA08 ,  4K029DB20 ,  4M113AD35 ,  4M113AD36 ,  4M113AD37 ,  4M113BA04 ,  4M113BA28 ,  4M113BA29
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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