特許
J-GLOBAL ID：201003028562332500
半導体発光装置の製造方法及び半導体発光装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-220144
公開番号（公開出願番号）：特開2010-056323
出願日： 2008年08月28日
公開日（公表日）： 2010年03月11日
要約：
【課題】高精度で高速に組み立てることができる、光取り出し効率が高い半導体発光装置の製造方法及び半導体発光装置を提供する。【解決手段】第1半導体層と第2半導体層と発光層とを有する積層構造体と、前記積層構造体の主面上の第1及び第2半導体層にそれぞれ接続された第1電極及び第2電極と、前記主面上において、第1及び第2電極により覆われていない第1及び第2半導体層の上に設けられ、屈折率の異なる誘電体膜が積層されてなり、第1及び第2電極の少なくともいずれかの周縁に立設された突出部を有する誘電体積層膜と、を有する半導体発光素子と、第1及び第2電極の少なくともといずれかと接続される接続部材を有する実装部材と、を対向させ、突出部をガイドとして接続部材を第1及び第2電極の前記少なくともいずれかに接触させ接合することを特徴とする半導体発光装置の製造方法を提供する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1半導体層と、第2半導体層と、前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられた発光層と、を有する積層構造体と、
前記積層構造体の主面上に設けられ、前記第1半導体層に接続された第1電極と、
前記積層構造体の前記主面上に設けられ、前記第2半導体層に接続された第2電極と、
前記主面上において、前記第1電極及び前記第2電極により覆われていない前記第1半導体層及び前記第2半導体層の上に設けられ、屈折率の異なる誘電体膜が積層されてなり、前記第1及び第2電極の少なくともいずれかの周縁の少なくとも一部に立設された突出部を有する誘電体積層膜と、
を有する半導体発光素子と、
前記第1及び第2電極の少なくともといずれかと接続される接続部材を有する実装部材と、
を対向させ、
前記突出部をガイドとして前記接続部材を前記第1及び第2電極の前記少なくともいずれかに接触させ接合することを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L33/00 N
, H01L33/00 C
5F041AA03
, 5F041AA11
, 5F041AA31
, 5F041CA05
, 5F041CA13
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA49
, 5F041CA57
, 5F041CA65
, 5F041CA73
, 5F041CA74
, 5F041CA83
, 5F041CA92
, 5F041CB11
, 5F041CB15
, 5F041DA03
, 5F041DA04
, 5F041DA09
, 5F041DA12
, 5F041DA20
, 5F041DA45
, 5F041DA72
, 5F041DA76
, 5F041DA78
, 5F041DB09
, 5F041EE25
出願人引用 (1件)
-
半導体発光素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願2007-121180
出願人：三菱化学株式会社
審査官引用 (8件)
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