特許
J-GLOBAL ID：201003030957238702

Si(110)表面の一次元ナノ構造及びその製造方法

発明者：
山田 洋一

山田 洋一 について

, 
朝岡 秀人

朝岡 秀人 について

, 
山本 博之

山本 博之 について

, 
社本 真一

社本 真一 について


出願人/特許権者：
独立行政法人 日本原子力研究開発機構

独立行政法人 日本原子力研究開発機構 について


代理人 (6件)： 小野 新次郎 ,  社本 一夫 ,  小林 泰 ,  千葉 昭男 ,  富田 博行 ,  岡本 芳明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-182426
公開番号（公開出願番号）：特開2010-018504
出願日： 2008年07月14日
公開日（公表日）： 2010年01月28日
要約：
【課題】Si(110)表面構造を精度良く制御したSi(110)表面の一次元ナノ構造及びその製造方法を提供する。【解決手段】Si(110)の<1-12>または<-112>方向に試料片を切り出し、その方向に通電して550°C〜730°Cの温度によるエレクトロマイグレーションによって、試料片の領域内でステップ配列構造の均質化によりほぼ完全な単一方向のドメインを形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
Si(110)ウェハー表面の原子ステップ配列を再構成列方向である<1-12>の一方向に揃えたことを特徴とするSi(110)表面の一次元ナノ構造。
IPC (4件)：
C30B 29/06 ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00 ,  C30B 33/04
FI (4件)：
C30B29/06 B ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  C30B33/04
Fターム (6件)：
4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077FE02 ,  4G077FE11 ,  4G077FH01 ,  4G077HA12
引用特許：
審査官引用 (5件)
全件表示
引用文献：
審査官引用 (1件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM