薄膜トランジスタ

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-239998
公開番号（公開出願番号）：特開2010-123926
出願日： 2009年10月19日
公開日（公表日）： 2010年06月03日
要約：

【課題】薄膜トランジスタのオン電流及びオフ電流に係る問題点を解決することを課題とする。高速動作が可能な薄膜トランジスタを提供することを課題とする。【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上に形成されるゲート絶縁層と、ゲート絶縁層及び一対のバッファ層に接し、且つ一対のバッファ層側の表面が凹凸状である微結晶半導体層と、一対のバッファ層上に形成されるソース領域及びドレイン領域として機能する不純物半導体層と、配線とを有する薄膜トランジスタである。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ゲート電極と、前記ゲート電極上に形成されるゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に形成される微結晶半導体層と、前記微結晶半導体層上に形成される一対のバッファ層と、前記一対のバッファ層上に形成される一対の不純物半導体層とを有し、前記微結晶半導体層において、前記一対のバッファ層に接する側の面が凹凸状であることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (5件)：

H01L29/78 618C , H01L29/78 616T , H01L29/78 618Z , H01L29/78 616U , H01L29/78 618E

Fターム (64件)：

5F110AA01 , 5F110AA06 , 5F110AA07 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE23 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG14 , 5F110GG16 , 5F110GG19 , 5F110GG22 , 5F110GG25 , 5F110GG33 , 5F110GG45 , 5F110GG57 , 5F110GG58 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK09 , 5F110HK15 , 5F110HK16 , 5F110HK21 , 5F110HK25 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110HK35 , 5F110HK50 , 5F110HL01 , 5F110HL07 , 5F110HM04 , 5F110HM12 , 5F110NN02 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110QQ02

引用特許：

審査官引用 (9件)

薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-160807 出願人：日本電気株式会社
アクティブマトリクス型表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-106611 出願人：株式会社日立製作所
薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-395829 出願人：シャープ株式会社

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