スパッタリングターゲット

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-067708
公開番号（公開出願番号）：特開2010-248627
出願日： 2010年03月24日
公開日（公表日）： 2010年11月04日
要約：

【課題】平面表示装置等の配線膜のプロセス温度域で、低抵抗化が可能であるとともに、ガラス基板やSi層への密着性が良好で、かつSi拡散バリア性を有するCu系配線膜を形成するために使用されるスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】 Cuと添加元素と酸素の総和を100原子%とした時に、添加元素としてBを0.1〜1.0原子%、さらにBと化合物を発現する元素の少なくとも1種類以上を0.1〜2.0原子%含むとともに、酸素を3.0〜10原子%含有し、残部がCuと不可避的不純物からなるスパッタリングターゲットである。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

Cuと添加元素と酸素の総和を100原子%とした時に、添加元素としてBを0.1〜1.0原子%、さらにBと化合物を発現する元素の少なくとも1種類以上を0.1〜2.0原子%含むとともに、酸素を3.0〜10原子%含有し、残部がCuと不可避的不純物からなることを特徴とするスパッタリングターゲット。

IPC (9件)：

C23C 14/34 , H01L 21/285 , H01L 21/320 , H01L 23/52 , C22C 9/00 , C22C 9/06 , C22C 9/10 , C22C 9/01 , C22C 9/05

FI (8件)：

C23C14/34 A , H01L21/285 S , H01L21/88 M , C22C9/00 , C22C9/06 , C22C9/10 , C22C9/01 , C22C9/05

Fターム (38件)：

4K018AA04 , 4K018AB10 , 4K018BA02 , 4K018BA03 , 4K018BA04 , 4K018BA09 , 4K018BB04 , 4K018BC09 , 4K018BC18 , 4K018EA02 , 4K018EA15 , 4K018KA29 , 4K029BA08 , 4K029BA21 , 4K029BD02 , 4K029DC05 , 4K029DC09 , 4M104AA09 , 4M104BB04 , 4M104BB38 , 4M104BB39 , 4M104DD40 , 4M104HH04 , 4M104HH08 , 4M104HH09 , 4M104HH16 , 5F033GG04 , 5F033HH12 , 5F033LL02 , 5F033LL03 , 5F033LL04 , 5F033LL09 , 5F033PP15 , 5F033VV15 , 5F033XX10 , 5F033XX13 , 5F033XX14 , 5F033XX28

引用特許：

審査官引用 (6件)

密着性に優れた配線下地膜およびこの配線下地膜を形成するためのスパッタリングターゲット
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-155111 出願人：三菱マテリアル株式会社
液晶表示装置における配線および電極用銅合金薄膜並びにその薄膜を形成するためのスパッタリングターゲット
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-159304 出願人：三菱マテリアル株式会社
銅スパッタリングターゲット及び銅スパッタリングターゲットの形成方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2005-505599 出願人：ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド

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