特許
J-GLOBAL ID:201003037716985862
多層配線基板、及びそれを用いた半導体装置
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-081781
公開番号(公開出願番号):特開2010-238692
出願日: 2009年03月30日
公開日(公表日): 2010年10月21日
要約:
【課題】電気的特性を損なわないまま、基板中のガスを効果的に放散でき、製造時の加熱等によってもふくれや剥離を発生し難くくし、反りを抑制することで、実装性や信頼性の高い半導体パッケージ用の多層配線基板と半導体装置を提供する。【解決手段】導体層と絶縁層とが積層されており、導体層は配線層及び、電源またはグランド層を有しており、電源またはグランド層にはこれらを厚さ方向に貫く開口が形成されており、開口の配線層に占める割合が、多層配線基板の導体層の面内の中央側が低く周辺側が高いことを特徴とする多層配線基板と、それを用いた半導体素子を実装した半導体装置。【選択図】図1
請求項(抜粋):
導体層と絶縁層とが積層されており、該導体層は配線層及び、電源またはグランド層を有しており、該電源またはグランド層にはこれらを厚さ方向に貫く開口が形成されており、
該開口の該配線層に占める割合が、多層配線基板の導体層の面内の中央側が低く周辺側が高いことを特徴とする多層配線基板。
IPC (2件):
FI (2件):
Fターム (26件):
5E346AA12
, 5E346AA15
, 5E346BB03
, 5E346BB04
, 5E346BB07
, 5E346CC02
, 5E346CC04
, 5E346CC08
, 5E346CC09
, 5E346CC10
, 5E346CC32
, 5E346CC34
, 5E346DD25
, 5E346DD32
, 5E346DD33
, 5E346EE01
, 5E346EE31
, 5E346FF01
, 5E346FF03
, 5E346FF04
, 5E346FF07
, 5E346FF15
, 5E346GG15
, 5E346GG17
, 5E346GG22
, 5E346HH33
引用特許:
出願人引用 (8件)
-
電子回路ユニットの回路基板
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-057074
出願人:アルプス電気株式会社
-
多層配線基板
公報種別:公開公報
出願番号:特願2004-130886
出願人:京セラ株式会社
-
高周波モジュール
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-282510
出願人:株式会社日立メディアエレクトロニクス
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審査官引用 (4件)