特許
J-GLOBAL ID：201003039133209360
圧電体膜とその成膜方法、圧電素子、及び液体吐出装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
柳田 征史
, 佐久間 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-287227
公開番号（公開出願番号）：特開2010-219493
出願日： 2009年12月18日
公開日（公表日）： 2010年09月30日
要約：
【課題】配向制御層や保護膜等の圧電素子として本来必要でない膜を必須とせず、複雑なプロセスを要することなく、圧電性能と耐電圧とがいずれも良好な圧電体膜を提供する。【解決手段】圧電素子1は、基板10上に、下部電極20と圧電体膜30と上部電極40とが順次積層された素子であり、圧電体膜30は、膜表面における最大高さ(ピーク値P)と最小高さ(バレー値V)との差で規定される表面粗さP-V値が170.0nm以下であり、圧電定数d31>150pc/Nであり、かつ、電流値が1μA以上となる印加電圧により定義される絶縁破壊電圧が80V以上である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
膜表面における最大高さ(ピーク値P)と最小高さ(バレー値V)との差で規定される表面粗さP-V値が170.0nm以下であり、
圧電定数d31>150pc/Nであり、かつ、電流値が1μA以上となる印加電圧により定義される絶縁破壊電圧が80V以上であることを特徴とする圧電体膜。
IPC (9件)：
H01L 41/24
, H01L 41/18
, H01L 41/09
, H01L 41/22
, H01L 21/824
, H01L 27/105
, C23C 14/08
, B41J 2/045
, B41J 2/055
H01L41/22 A
, H01L41/18 101Z
, H01L41/08 C
, H01L41/08 L
, H01L41/08 J
, H01L41/22 Z
, H01L27/10 444C
, C23C14/08 K
, B41J3/04 103A
2C057AF65
, 2C057AG44
, 2C057AP52
, 2C057BA04
, 2C057BA14
, 4K029AA04
, 4K029AA24
, 4K029BA02
, 4K029BA17
, 4K029BA50
, 4K029BB07
, 4K029BC00
, 4K029BD00
, 4K029CA05
, 4K029CA06
, 4K029EA01
, 5F083FR00
, 5F083GA11
, 5F083GA27
, 5F083GA30
, 5F083HA02
, 5F083HA10
, 5F083JA13
, 5F083JA15
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA43
, 5F083JA45
, 5F083PR22
, 5F083PR23
, 5F083PR33
, 5F083PR34
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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