強誘電体膜とその製造方法、強誘電体素子、及び液体吐出装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：柳田征史 , 佐久間剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-229787
公開番号（公開出願番号）：特開2008-266770
出願日： 2007年09月05日
公開日（公表日）： 2008年11月06日
要約：

【課題】PZT系の強誘電体膜において、焼結助剤やアクセプタイオンを添加することなく、Bサイトに10モル%以上のドナイオンを添加することを可能とする。【解決手段】本発明の強誘電体膜は、多数の柱状結晶からなる柱状結晶膜構造を有し、下記式(P)で表されるペロブスカイト型酸化物を主成分とするものである。A1+δ[(ZrxTi1-x)1-yMy]Oz・・・(P)(式中、AはAサイト元素であり、Pbを主成分とする少なくとも1種の元素である。Zr,Ti,及びMはBサイト元素である。MはV,Nb,Ta,及びSbからなる群より選ばれた少なくとも1種の元素である。0<x≦0.7、0.1≦y≦0.4。δ=0及びz=3が標準であるが、これらの値はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準値からずれてもよい。)【選択図】なし

請求項（抜粋）：

多数の柱状結晶からなる柱状結晶膜構造を有し、下記式(P)で表されるペロブスカイト型酸化物を主成分とすることを特徴とする強誘電体膜。 A1+δ[(ZrxTi1-x)1-yMy]Oz・・・(P) (式中、AはAサイト元素であり、Pbを主成分とする少なくとも1種の元素である。 Zr,Ti,及びMはBサイト元素である。MはV,Nb,Ta,及びSbからなる群より選ばれた少なくとも1種の元素である。 0<x≦0.7、0.1≦y≦0.4。 δ=0及びz=3が標準であるが、これらの値はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準値からずれてもよい。)

IPC (12件)：

C23C 14/08 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01L 41/18 , H01L 41/24 , H01L 41/09 , C23C 14/34 , C01G 33/00 , C01G 35/00 , H01L 21/316 , B41J 2/045 , B41J 2/055

FI (11件)：

C23C14/08 K , H01L27/10 444C , H01L41/18 101Z , H01L41/22 A , H01L41/08 U , H01L41/08 J , C23C14/34 R , C01G33/00 A , C01G35/00 C , H01L21/316 Y , B41J3/04 103A

Fターム (44件)：

2C057AF93 , 2C057AG44 , 2C057AN05 , 2C057BA04 , 2C057BA14 , 4G048AA03 , 4G048AB04 , 4G048AC02 , 4G048AD02 , 4G048AE05 , 4K029AA06 , 4K029AA24 , 4K029BA50 , 4K029BB08 , 4K029BC00 , 4K029CA06 , 4K029DC05 , 4K029DC09 , 4K029DC35 , 4K029EA00 , 4K029EA01 , 4K029EA08 , 5F058BA11 , 5F058BA20 , 5F058BB01 , 5F058BB05 , 5F058BB06 , 5F058BB07 , 5F058BC03 , 5F058BD05 , 5F058BF14 , 5F058BJ04 , 5F058BJ10 , 5F083FR00 , 5F083GA27 , 5F083HA02 , 5F083JA15 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA43 , 5F083JA45 , 5F083PR22

引用特許：

出願人引用 (12件)

キャパシタとその製造方法、及び半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-303173 出願人：セイコーエプソン株式会社
圧電セラミックスおよび焼結助剤ならびに積層型圧電素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-274821 出願人：太平洋セメント株式会社
低温焼成化誘電体セラミックス、積層型誘電体素子、誘電体セラミックスの製造方法および助剤酸化物
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-364641 出願人：株式会社日本自動車部品総合研究所, 株式会社デンソー

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