特許
J-GLOBAL ID:201003044210022175
薄膜の機械的特性測定装置及び測定方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
木村 正俊
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-039412
公開番号(公開出願番号):特開2010-197085
出願日: 2009年02月23日
公開日(公表日): 2010年09月09日
要約:
【課題】 圧縮残留応力のある薄膜でも機械的特性を容易に測定する。【解決手段】 ウエハ4上にほぼ扇形に形成された共振デバイス2がその扇形の要付近に回転可能に支持部6によって支持され、扇形の一方の辺に静電引力付与用の櫛歯電極8を有している。櫛歯電極8に振動用の電圧を周波数可変電源18が供給する。共振デバイス2単独及び共振デバイス2に薄膜を成膜した状態で、周波数可変電源18から周波数を変化させた電圧が供給されたときの振幅の変化から共振デバイス2単独及び成膜時の共振デバイス2の共振周波数をそれぞれ共振デバイス2の櫛歯電極12を用いて測定する。共振デバイス2単独の共振周波数と、成膜時の共振デバイス2の共振周波数と、薄膜の密度及び厚さと、共振デバイス2単独のヤング率、密度及び厚さとに基づいて、薄膜のヤング率を演算装置24が算出する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
基板上に外形がほぼ扇形に形成され、かつ前記扇形の要付近において前記基板に垂直な軸周りに回転可能に設けられ、前記扇形の一方の辺が静電引力付与用の櫛歯電極に形成された共振デバイスと、
前記櫛歯電極に振動用の電圧を供給する周波数可変電源と、
前記共振デバイス単独及び前記共振デバイスに薄膜を成膜した状態で、前記周波数可変電源から周波数を変化させた電圧が前記共振デバイスに供給されたときの振幅の変化から前記共振デバイス単独及び前記薄膜が成膜された前記共振デバイスの共振周波数をそれぞれ測定する共振周波数測定手段と、
前記共振デバイス単独の共振周波数と、前記成膜された共振デバイスの共振周波数と、前記薄膜のヤング率、密度及び厚さのうち2つの既知のものと、前記共振デバイス単独のヤング率、密度及び厚さとに基づいて、前記薄膜のヤング率、密度及び厚さのうち未知のものを算出する算出手段とを、
具備する薄膜の機械的特性測定装置。
IPC (2件):
FI (2件):
Fターム (3件):
2G061AB04
, 2G061CB01
, 2G061EA06
引用特許: