特許
J-GLOBAL ID：201003048285505967
露光量制御方法及び露光装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
鈴木 史朗
, 志賀 正武
, 渡辺 浩史
, 高橋 詔男
, 伏見 俊介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-078963
公開番号（公開出願番号）：特開2010-232458
出願日： 2009年03月27日
公開日（公表日）： 2010年10月14日
要約：
【課題】コンタミネーション膜が成長する環境下でも、より高精度に露光量の制御を行うことができる露光量制御方法を提供する。【解決手段】本発明の露光量制御方法は、マスク上に形成されたパターンの反射像を基板上に露光する際の露光量を制御する方法であって、前記パターンの開口部の初期反射率R0と、前記マスク使用後の前記パターンの開口部の実測反射率Rとを取得する反射率取得工程と、マスク表面状態の変化による反射特性の変化に基づいて決定される比例定数Aを用いて、[数1]に基づき露光量補正係数Xを算出する工程とを備えることを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
マスク上に形成されたパターンの反射像を基板上に露光する際の露光量を制御する方法であって、
前記パターンの開口部の初期反射率R0と、前記マスク使用後の前記パターンの開口部の実測反射率Rとを取得する反射率取得工程と、
マスク表面状態の変化による反射特性の変化に基づいて決定される比例定数Aを用いて、
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L21/30 516D
, H01L21/30 531E
, G03F7/20 521
5F046BA03
, 5F046BA05
, 5F046CB17
, 5F046DA02
, 5F046DA27
, 5F046DB01
, 5F046DC04
, 5F046DD03
, 5F046GA03
, 5F046GA07
, 5F046GA14
, 5F046GD10
, 5F046GD20
