特許
J-GLOBAL ID：201003048424627169
配線基板及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-314434
公開番号（公開出願番号）：特開2010-141018
出願日： 2008年12月10日
公開日（公表日）： 2010年06月24日
要約：
【課題】アンダーフィル樹脂が流動する基板表面が平坦となっている配線基板に対し、当該樹脂の流れ出しの範囲を制限し、その流動性の管理をラフに行えるようにすること。【解決手段】複数の配線層11,14,17,20が絶縁層(樹脂層)12,15,18を介在させて積層され、各樹脂層に形成されたビア13,16,19を介して層間接続された構造を有した配線基板10において、チップ搭載面側の最外層の樹脂層12に、チップ搭載エリアCMを囲んで環状に凹部DM1を形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
支持基材上に、電子部品の搭載エリアに対応する部分を囲んで環状の開口部を有するようパターン形成された第1のレジスト層を形成する工程と、
前記第1のレジスト層の開口部から露出している前記支持基材上に、犠牲導体層を形成する工程と、
前記第1のレジスト層を除去後、前記支持基材及び前記犠牲導体層上に、前記電子部品の搭載エリア内に対応する部分に所要の形状の開口部を有するようパターン形成された第2のレジスト層を形成する工程と、
前記第2のレジスト層の開口部から露出している前記支持基材上に、パッドを形成する工程と、
前記第2のレジスト層を除去後、前記支持基材及び前記犠牲導体層上に、前記パッドを露出させて絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層上に、前記パッドに接続されるビアを含む配線層を形成する工程と、
以降、所要の層数となるまで絶縁層と配線層を交互に積層した後、前記支持基材及び前記犠牲導体層を除去する工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L23/12 F
, H01L23/12 501B
, H01L21/60 311S
5F044KK02
, 5F044KK07
, 5F044LL11
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (3件)
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