特許
J-GLOBAL ID：201003050797607740

半導体装置、及びその製造方法

発明者：
張 東 鉉

張 東 鉉 について

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李 仁 榮

李 仁 榮 について

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金 南 錫

金 南 錫 について


出願人/特許権者：
三星電子株式会社

三星電子株式会社 について


代理人 (1件)： 八田国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-085898
公開番号（公開出願番号）：特開2010-245536
出願日： 2010年04月02日
公開日（公表日）： 2010年10月28日
要約：
【課題】貫通電極を備える半導体装置、及びその製造方法が提供される。【解決手段】本発明は、パッド408が含まれた基板402sの一部を除去してビアホール420を形成する。前記基板の上に絶縁膜410を形成する。前記絶縁膜の一部を除去して前記パッドの一部を露出させる複数の開口を含む開口部435a,435bを形成する。前記ビアホールを満たして前記複数の開口のうちの何れか1つを通じて前記パッドと電気的に連結する貫通電極440を形成する。前記複数の開口の中の他の1つを通じて前記パッドの一部を開放する。【選択図】図9I
請求項（抜粋）：
パッドを有する基板にビアホールを形成することと、 前記ビアホールを有する前記基板の上に絶縁膜を形成することと、 前記絶縁膜に前記パッドの一部を露出させる複数の開口を形成することと、 少なくとも前記ビアホールを部分的に満たし、前記複数の開口のうちの何れか1つを通じて前記パッドと電気的に連結される貫通電極を形成することと、 前記複数の開口のうちの他の1つを通じて前記パッドの一部を開放することと、 を含む、半導体装置の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  H01L 23/12 ,  H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18
FI (4件)：
H01L21/88 J ,  H01L21/88 T ,  H01L23/12 501P ,  H01L25/08 Z
Fターム (27件)：
5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033MM30 ,  5F033NN32 ,  5F033PP14 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ07 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ47 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033SS11 ,  5F033TT07 ,  5F033VV07 ,  5F033VV12 ,  5F033XX34
引用特許：
審査官引用 (7件)
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