大領域SiC基板の製造方法

発明者： , , , , , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：野河信太郎
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-516072
公開番号（公開出願番号）：特表2010-533633
出願日： 2008年07月14日
公開日（公表日）： 2010年10月28日
要約：

Si基板上にSiC含有フィルムを成長させるための方法が開示される。SiC含有フィルムは、例えば、プラズマスパッタリング、化学気相成長法または原子層堆積により、Si基板上に形成することができる。このようにして成長されたSiC含有フィルムは、半導体結晶の成長用の高価なSiCウェハーの代わりに提供される。

請求項（抜粋）：

Si基板をエッチングして自然酸化膜を除去し;かつ 1000°C以下の温度で、前記Si基板上にSiCを含む第1フィルムをエピタキシャル成長させることを含むSi基板上に堆積されたSiC含有フィルムの製造方法。

IPC (5件)：

C30B 29/36 , C30B 25/18 , C23C 16/42 , C23C 14/06 , H01L 21/205

FI (5件)：

C30B29/36 A , C30B25/18 , C23C16/42 , C23C14/06 E , H01L21/205

Fターム (54件)：

4G077AA03 , 4G077BE08 , 4G077DB09 , 4G077DB17 , 4G077EA02 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077EE04 , 4G077FJ06 , 4G077HA12 , 4G077TB07 , 4G077TC06 , 4G077TC19 , 4G077TK01 , 4G077TK06 , 4K029AA06 , 4K029AA24 , 4K029BA56 , 4K029BB09 , 4K029BD01 , 4K029CA05 , 4K029CA13 , 4K029DC35 , 4K029FA01 , 4K030AA06 , 4K030AA10 , 4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030BA02 , 4K030BA08 , 4K030BA35 , 4K030BA37 , 4K030BA38 , 4K030BB02 , 4K030BB12 , 4K030CA01 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA04 , 4K030FA01 , 4K030FA10 , 4K030HA01 , 4K030JA10 , 4K030LA15 , 5F045AA03 , 5F045AA04 , 5F045AA19 , 5F045AB06 , 5F045AB14 , 5F045AC07 , 5F045AD12 , 5F045AF03 , 5F045DA53 , 5F045EB13

引用特許：

審査官引用 (6件)

低温における結晶質炭化ケイ素コーティングの作成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-192511 出願人：ダウ・コ-ニング・コ-ポレ-ション
スパッタリング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-081944 出願人：株式会社島津製作所
SiC薄膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-272009 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所, 株式会社アルバック

全件表示

引用文献：

審査官引用 (1件)

Stress reduction in epitaxial GaN films on Si using cubic SiC as intermediate layers

前のページに戻る