特許
J-GLOBAL ID：201003058574196692

光電変換装置

発明者：
呉屋 真之

呉屋 真之 について

, 
小林 靖之

小林 靖之 について

, 
坂井 智嗣

坂井 智嗣 について


出願人/特許権者：
三菱重工業株式会社

三菱重工業株式会社 について


代理人 (2件)： 藤田 考晴 ,  上田 邦生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-311301
公開番号（公開出願番号）：特開2010-135636
出願日： 2008年12月05日
公開日（公表日）： 2010年06月17日
要約：
【課題】高い変換効率を得るためのトリプル型光電変換装置の適切な膜厚構成を提供する。【解決手段】基板1上に、透明電極層2と、pin接合を有する電池層91,92,93を3層積層された光電変換層3と、裏面電極層4とを備える光電変換装置100であって、光の入射側に設けられた入射部の電池層91が、膜厚が100nm以上200nm以下の非晶質シリコンi層を有し、光の入射側に対して反対側に設けられた底部の電池層93が、膜厚が700nm以上1600nm以下の結晶質シリコンゲルマニウムi層を有し、前記結晶質シリコンゲルマニウムi層中のゲルマニウム原子とシリコン原子との和に対する前記ゲルマニウム原子の割合が15原子%以上25原子%以下であり、前記入射部の電池層91と前記底部の電池層93との間に設けられた中間部の電池層92が、膜厚が1000nm以上2000nm以下の結晶質シリコンi層を有することを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に、透明電極層と、pin接合を有する電池層を3層積層させた光電変換層と、裏面電極層とを備える光電変換装置であって、 前記電池層のうち、光の入射側に設けられた入射部の電池層が、膜厚が100nm以上200nm以下の非晶質シリコンi層を有し、 光の入射側に対して反対側に設けられた底部の電池層が、膜厚が700nm以上1600nm以下の結晶質シリコンゲルマニウムi層を有し、前記結晶質シリコンゲルマニウムi層中のゲルマニウム原子とシリコン原子との和に対する前記ゲルマニウム原子の割合が15原子%以上25原子%以下であり、 前記入射部の電池層と前記底部の電池層との間に設けられた中間部の電池層が、膜厚が800nm以上2000nm以下の結晶質シリコンi層を有することを特徴とする光電変換装置。
IPC (1件)：
H01L 31/04
FI (1件)：
H01L31/04 W
Fターム (44件)：
5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051BA11 ,  5F051CA07 ,  5F051CA08 ,  5F051CA15 ,  5F051CA35 ,  5F051CA36 ,  5F051CB27 ,  5F051DA04 ,  5F051DA16 ,  5F051DA18 ,  5F051EA09 ,  5F051EA10 ,  5F051EA11 ,  5F051EA16 ,  5F051FA03 ,  5F051FA06 ,  5F051GA03 ,  5F051JA04 ,  5F051JA05 ,  5F051KA09 ,  5F151AA04 ,  5F151AA05 ,  5F151BA11 ,  5F151CA07 ,  5F151CA08 ,  5F151CA15 ,  5F151CA35 ,  5F151CA36 ,  5F151CB27 ,  5F151DA04 ,  5F151DA16 ,  5F151DA18 ,  5F151EA09 ,  5F151EA10 ,  5F151EA11 ,  5F151EA16 ,  5F151FA03 ,  5F151FA06 ,  5F151GA03 ,  5F151JA04 ,  5F151JA06 ,  5F151KA09
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 光起電力素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-207922   出願人：キヤノン株式会社
  • 光起電力素子の形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-090998   出願人：キヤノン株式会社
審査官引用 (6件)
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