特許
J-GLOBAL ID：201003059352133745

強磁性半導体素子及び強磁性半導体の制御方法

発明者：
福村 知昭

福村 知昭 について

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川崎 雅司

川崎 雅司 について

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上野 和紀

上野 和紀 について

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岩佐 義宏

岩佐 義宏 について

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下谷 秀和

下谷 秀和 について

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山田 良則

山田 良則 について


出願人/特許権者：
独立行政法人科学技術振興機構

独立行政法人科学技術振興機構 について


代理人 (3件)： 平山 一幸 ,  篠田 哲也 ,  小川 耕太
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-080616
公開番号（公開出願番号）：特開2010-232562
出願日： 2009年03月27日
公開日（公表日）： 2010年10月14日
要約：
【課題】室温下での動作が可能な強磁性半導体素子及びその制御方法を提供する。【解決手段】基板11と、基板11上に設けた二酸化チタン層15と、二酸化チタン層15上に設けた遷移元素ドープ二酸化チタン層12と、遷移元素ドープ二酸化チタン層12上に設けた電解液13と、電解液13と接触するよう設けたゲート電極14と、を含む。電解液13は、CsCl4、Sr(ClO4)2、KClO4、NaClO4、LiClO4の一以上の電解質を溶媒に溶かしてなる。ゲート電極14へのゲート電圧印加の有無に応じて、遷移元素ドープ二酸化チタン層12の強磁性の強さが変化する。遷移元素はコバルトが好ましい。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板と、 上記基板上に設けられた遷移元素ドープ二酸化チタン層と、 上記二酸化チタン層上に設けられた電解液と、 上記電解液と接触するように設けられたゲート電極と、 を含む、強磁性半導体素子。
IPC (3件)：
H01L 29/82 ,  H01L 21/363 ,  H01F 1/40
FI (3件)：
H01L29/82 Z ,  H01L21/363 ,  H01F1/00 A
Fターム (21件)：
5E040CA11 ,  5F092AA08 ,  5F092AB01 ,  5F092AC30 ,  5F092BD06 ,  5F092BD12 ,  5F092BD13 ,  5F092BD14 ,  5F092BD16 ,  5F092BE25 ,  5F092CA02 ,  5F092CA25 ,  5F103AA04 ,  5F103AA08 ,  5F103AA10 ,  5F103BB22 ,  5F103DD30 ,  5F103KK10 ,  5F103LL07 ,  5F103NN04 ,  5F103NN06
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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引用文献：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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